[发明专利]发光二极管的芯片倒装焊封装方法无效
| 申请号： | 200910159314.5 | 申请日： | 2007-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN101640245A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 赵自皓;吴易座;张嘉显 | 申请（专利权）人： | 亿光电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 红 |
| 地址： | 台湾省台北县土*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 倒装 封装 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种发光二极管的芯片倒装焊封装方法，其特征在于，至少包含：
形成一光刻胶层于一发光二极管芯片上；
借曝光与显影方式图案化该光刻胶层以裸露出该发光二极管芯片的要形成凸块焊垫的区域；
形成数个凸块焊垫于该发光二极管芯片的裸露区域；
提供具有一凹陷的一封装底座；以及
借异方性导电胶将该发光二极管芯片以具有凸块焊垫的该表面粘贴于该封装底座的该凹陷内。
2、根据权利要求1所述的发光二极管的芯片倒装焊封装方法，其特征在于，该异方性导电胶包含数个导电粒子与粘胶。
3、根据权利要求1所述的发光二极管的芯片倒装焊封装方法，其特征在于，该封装底座包含两导电引脚，该两导电引脚均裸露于该凹陷并凸出于该封装底座外。
4、根据权利要求1所述的发光二极管的芯片倒装焊封装方法，其特征在于，该发光二极管芯片内具有一反光层接近具有凸块焊垫的该表面。
5、根据权利要求4所述的发光二极管的芯片倒装焊封装方法，其特征在于，该反光层位于该发光二极管芯片的一透光区内。
6、根据权利要求5所述的发光二极管的芯片倒装焊封装方法，其特征在于，该透光区为一P型电极区。
7、根据权利要求1所述的发光二极管的芯片倒装焊封装方法，其特征在于，这些凸块焊垫以蒸镀、电镀或印刷方式形成于该发光二极管芯片的裸露区域。
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