[发明专利]基底对准设备和基底处理设备无效
申请号: | 200910159687.2 | 申请日: | 2009-07-31 |
公开(公告)号: | CN101640181A | 公开(公告)日: | 2010-02-03 |
发明(设计)人: | 长谷川雅己;金子一秋 | 申请(专利权)人: | 佳能安内华股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 张 涛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基底 对准 设备 处理 | ||
1.一种用于将基底与参考点对准的基底对准设备,该设备包括:
多个柱,其构造成绕与相应的轴向方向平行的旋转轴线旋转;
驱动机构,其构造成使所述多个柱沿相同方向同步地旋转通过相同的角度;
检测器,其构造成检测所述基底从所述参考点偏离的位置偏差的量;以及
支撑销,其位于所述多个柱的上表面上且同时与所述多个柱的相应的旋转轴线间隔开,并且构造成支撑所述基底,
其中基于由所述检测器检测到的位置偏差的量,通过由所述驱动机构使所述多个柱沿相同方向同步地旋转通过相同的角度,而使所述基底对准。
2.根据权利要求1所述的设备,其中
所述检测器构造成检测所述基底的运动方向和运动量L,并且
假定所述支撑销在运动前和运动后的位置绕与所述运动方向垂直并且经过所述柱的旋转中心的虚线是轴对称的,通过使所述多个柱旋转通过以下角度而使所述基底对准:
2θ=2sin-1(L/2R)
其中R是所述柱的旋转轴线与所述支撑销的中心之间的距离,并且θ是所述虚线与以下直线之间形成的角,所述直线经过所述支撑销在运动前和运动后的中心之一以及所述柱的中心。
3.根据权利要求2所述的设备,其中在所述基底的对准之前,所述多个柱中的每个都旋转到所述支撑销在运动之前未支撑所述基底的情况下的位置,所述位置与所述虚线形成角θ。
4.根据权利要求1所述的设备,其中所述支撑销具有半球形的远端和圆锥形的远端之一。
5.根据权利要求1所述的设备,其中所述支撑销和所述柱二者都能自由地绕与所述支撑销的轴向方向平行的旋转轴线旋转。
6.根据权利要求1所述的设备,其中所述支撑销位于所述柱上的区域内。
7.根据权利要求1所述的设备,还包括:
基底支架,其构造成保持所述基底,以及
环状盖,其构造成防护所述基底支架,
其中所述多个柱位于所述基底支架的外部,并且所述环状盖构造成在支撑所述基底的同时根据所述多个柱的升起而升起,以便通过所述环状盖对准所述基底。
8.根据权利要求1所述的设备,还包括:
基底支架,其构造成保持所述基底,以及
环状盖,其构造成防护所述基底支架,
其中
所述多个柱位于所述基底支架的外部,
所述多个支撑销能自由地绕与其轴向方向平行的旋转轴线旋转,并且所述多个柱能自由地绕与其轴向方向平行的旋转轴线旋转,以及
所述多个支撑销连接至所述环状盖,所述环状盖构造成在支撑所述基底的同时根据所述多个柱的升起而升起,以便通过所述环状盖对准所述基底。
9.根据权利要求1所述的设备,还包括:
基底支架,其构造成保持所述基底,以及
环状盖,其构造成防护所述基底支架,
其中
所述多个柱位于所述基底支架的外部,
所述多个支撑销相对于所述环状盖能自由地旋转,
所述多个支撑销连接至所述多个柱,以及
所述环状盖构造成在支撑所述基底的同时根据所述多个柱的升起而升起,以便通过所述环状盖对准所述基底。
10.一种基底处理设备,包括根据权利要求1所述的基底对准设备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造