[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

元件区，其被避免接收施加给所述半导体器件的应力并且在其上 形成半导体元件，所述元件区形成在所述半导体衬底中并且基本上设 置在所述半导体衬底的中央；

缓冲区，设置在所述元件区周围用于吸收施加给所述半导体器件 的应力以使所述元件区避免接收所述应力，所述缓冲区包括形成在所 述半导体衬底中的沟槽和填充在所述沟槽中并且杨氏模量低于所述 半导体衬底的杨氏模量的填充物，所述沟槽的深度大于所述元件区的 深度；以及

半导体元件形成区，设置在所述缓冲区周围，

其中，所述沟槽的深度大于所述半导体元件形成区的深度，并且

其中，所述元件区和所述半导体元件形成区通过互连相互连接。

2.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

元件区，其被避免接收应力，并且设置在所述半导体衬底的中央；

缓冲区，设置在所述元件区周围，并且包括沟槽和被所述沟槽围 绕的空穴；以及

半导体元件形成区，设置在所述缓冲区周围，

其中，所述沟槽的深度大于被避免接收应力的所述元件区的深度 并且大于所述半导体元件形成区的深度，并且

其中，所述元件区和所述半导体元件形成区通过互连相互连接。

3.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

形成在所述半导体衬底的一部分上的元件区，其被避免接收施加 给所述半导体器件的应力并且在其上形成半导体元件；

缓冲区，设置在所述元件区周围用于吸收施加给所述半导体器件 的应力以使所述元件区避免接收所述应力，所述缓冲区包括形成在所 述半导体衬底中的沟槽和至少部分填充所述沟槽的填充物；以及

半导体元件形成区，设置在所述缓冲区周围，

其中，所述元件区和所述半导体元件形成区通过互连相互连接。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其中，被避免接收应力的 所述元件区设置在所述半导体衬底的中央。

5.如权利要求3所述的半导体器件，其中，所述缓冲区四周地 围绕被避免接收应力的所述元件区。

6.如权利要求3所述的半导体器件，还包括：支承区，设置在 所述缓冲区与被避免接收应力的所述元件区之间。

7.如权利要求6所述的半导体器件，还包括多个所述支承区。

8.如权利要求3所述的半导体器件，其中，所述缓冲区包括沟 槽和嵌入所述沟槽的填充物。

9.如权利要求3所述的半导体器件，其中，所述缓冲区包括沟 槽和被所述沟槽围绕的空穴。

10.如权利要求8所述的半导体器件，其中，所述沟槽的深度大 于被避免接收应力的所述元件区的深度并且大于所述半导体元件形 成区的深度。

11.如权利要求8所述的半导体器件，其中，所述沟槽延伸穿过 所述半导体衬底。

12.如权利要求8所述的半导体器件，其中，所述填充物的杨氏 模量低于所述半导体衬底的杨氏模量。

13.如权利要求8所述的半导体器件，其中，所述填充物包括其 中包含聚酰亚胺、环氧树脂、橡胶和硅树脂中任一种的材料。

14.如权利要求9所述的半导体器件，其中，所述沟槽的深度大 于被避免接收应力的所述元件区的深度并且大于所述半导体元件形 成区的深度。

15.如权利要求9所述的半导体器件，其中，所述沟槽延伸穿过 所述半导体衬底。