[发明专利]制造半导体元件的方法与半导体元件

权利要求书

1.一种制造半导体元件的方法，包括：

提供一半导体基底，其具有一第一区与一第二区；

形成一高介电常数介电层于该半导体基底上；

形成一第一盖层与一第二盖层于该高介电常数介电层上，该第一盖层覆 盖该第一区而该第二盖层覆盖该第二区；

形成一含硅层于该第一与第二盖层上；

形成一金属层于该含硅层上；以及

形成一第一栅极堆叠于该第一区上与一第二栅极堆叠于该第二区上；

其中该第一栅极堆叠包括该高介电常数介电层、该第一盖层、该含硅层 与该金属层；

其中该第二栅极堆叠包括该高介电常数介电层、该第二盖层、该含硅层 与该金属层；

其中形成该第一与第二盖层的方法包括：

形成该第一盖层于该第一与第二区上；

通过一图案化与蚀刻步骤移除覆盖该第二区的该第一盖层；

形成该第二盖层于该第一与第二区上；以及

通过一图案化与蚀刻工艺移除覆盖该第一区的该第二盖层。

2.如权利要求1所述的制造半导体元件的方法，还包括在蚀刻该第一盖 层与该第二盖层之后执行一等离子体处理或一退火处理。

3.如权利要求2所述的制造半导体元件的方法，其中该等离子体处理包 括O₃、He、NH₃、H₂或N₂。

4.如权利要求2所述的制造半导体元件的方法，其中该退火处理包括一 低温退火，其使用一低于400℃的温度与一包括H₂O、O₃、He、NH₃、H₂、 N₂或SiH₄的气体。

5.如权利要求1所述的制造半导体元件的方法，其中该第一盖层包括氧 化镧而该第二盖层包括氧化铝。

6.一种制造半导体元件的方法，包括：

提供一半导体基底，其具有一第一区与一第二区；

形成一高介电常数介电层于该半导体基底上；

形成一第一盖层于该高介电常数介电层上；

蚀刻覆盖该第二区的该第一盖层；

执行一第一处理工艺，该第一处理工艺包括一等离子体工艺或一退火工 艺；

形成一第二盖层于覆盖该第一区的该第一盖层上且于覆盖该第二区的 该高介电常数介电层上，该第二盖层不同于该第一盖层；

形成一金属层于该第二盖层上；以及

形成一第一栅极堆叠于该第一区上与一第二栅极堆叠于该第二区上；

其中该第一栅极堆叠包括该高介电常数介电层、该第一盖层、该第二盖 层与该金属层；

其中该第二栅极堆叠包括该高介电常数介电层、该第二盖层与该金属 层。