[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

具有入射光的光入射面和光电二极管部的半导体薄膜；

在上述光入射面的相反侧的上述半导体薄膜的表面的上方设置的、具有凸面的中间层；以及

在上述凸面的表面上设置的、具有把上述光向上述光电二极管部的方向反射的凹面的凹面反射层。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述光电二极管部包含：第一导电类型的第一区域、和与上述第一导电类型不同的第二导电类型的第二区域；

上述中间层具有上述凹面的曲率中心位于上述第一区域与上述第二区域之间的耗尽层中的形状的上述凸面。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：

上述第一区域和上述第二区域在上述半导体薄膜中的一部分上形成，比除上述第一区域和上述第二区域之外的上述半导体薄膜具有更高的杂质浓度。

4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：

上述第二区域设置在上述光入射面与上述第一区域之间。

5.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：

上述半导体薄膜具有：第一导电类型的第一层、和与上述第一导电类型不同的第二导电类型的第二层；

上述曲率中心位于上述第一层和上述第二层与上述第二区域之间。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

所述半导体器件还包括：在上述半导体薄膜与上述中间层之间设置的氧化膜、和在上述中间层上设置的布线层；

上述凹面反射层设置在上述氧化膜与上述布线层之间。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于：

上述半导体器件是利用上述凹面反射层将向位于上述布线层的相反侧的上述光入射面入射的光反射的背面照射型的半导体器件。

8.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于：

上述中间层和上述氧化膜由具有相同折射率的材料形成。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述凹面反射层由金属材料形成。

10.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述半导体薄膜是p型或n型的Si薄膜。

11.一种半导体器件，包括：

具有柔软性的透明衬底；

在上述透明衬底上设置的透明电极；

在上述透明电极的与上述透明衬底相接的面的相反侧的一部分上设置的有机半导体层；

在上述有机半导体层的与上述透明电极相接的面的相反侧的表面的上方设置的、具有凸面的中间层；以及

在上述凸面的表面上设置的、具有把入射光向上述有机半导体层的方向反射的凹面的凹面反射层。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于：

上述有机半导体层形成为包含电子接收有机材料和电子供给有机材料中的任何一者或两者。

13.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于：

上述有机半导体层形成为包含从香豆素6、若丹明6G、酞菁锌中选择的至少一种有机材料。

14.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于：

上述凹面反射层由金属材料形成，是向上述有机半导体层供给电力的电极。

15.一种半导体器件，包括：

具有柔软性且对可见光透明的透明衬底；

在上述透明衬底上设置的透明电极；

在上述透明电极的与上述透明衬底相接的面的相反侧的一部分上设置的有机半导体层；以及

在上述有机半导体层的与上述透明电极相接的面的相反侧的表面的上方设置的反射层。

16.如权利要求15所述的半导体器件，其特征在于：

上述反射层是向上述有机半导体层供给电力的电极。

17.一种半导体器件的制造方法，包括：

在具有入射光的光入射面和光电二极管部的、表面上形成了氧化膜的半导体薄膜上形成膜的工序；

通过对上述膜进行热处理，使上述膜成为具有凸形状的中间层的工序；以及

在上述中间层的表面上形成凹面反射层的工序。