[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

(相关申请的交叉引用)

本申请基于2008年8月5日提交的在先日本专利申请2008-201453并要求其优先权，其全部内容在此引入。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。

背景技术

现在，作为增加光灵敏度的背面照射型的半导体器件，在日本特开2008-147333号公报中公开了这样一种半导体器件，其包括：具有光入射面的半导体层、在半导体层中形成的光电变换部、以及在光入射面的相反侧的面上使透过光电变换部的光向光电变换部侧反射的反射层。

发明内容

本发明的一个方式提供一种半导体器件，包括：具有入射光的光入射面和光电二极管部的半导体薄膜；在光入射面的相反侧的半导体薄膜的表面的上方设置的、具有凸面的中间层；以及在凸面的表面上设置的、具有把光向光电二极管部的方向反射的凹面的凹面反射层。

本发明的另一个方式提供一种半导体器件，包括：具有柔软性的透明衬底；在透明衬底上设置的透明电极；在透明电极的与透明衬底相接的面的相反侧的一部分上设置的有机半导体层；在有机半导体层的与透明电极相接的面的相反侧的表面的上方设置的、具有凸面的中间层；以及在凸面的表面上设置的、具有把入射光向有机半导体层的方向反射的凹面的凹面反射层。

本发明的再一个方式提供一种半导体器件，包括：具有柔软性、对可见光透明的透明衬底；在透明衬底上设置的透明电极；在透明电极的与透明衬底相接的面的相反侧的一部分上设置的有机半导体层；在有机半导体层的与透明电极相接的面的相反侧的表面的上方设置的反射层。

本发明的还有一个方式提供一种半导体器件的制造方法，包括：在具有入射光的光入射面和光电二极管部的、表面上形成了氧化膜的半导体薄膜上形成膜的工序；通过对膜进行热处理，使膜成为具有凸形状的中间层的工序；以及在中间层的表面上形成凹面反射层的工序。

附图说明

图1是根据实施方式1的半导体器件的剖面图。

图2A是根据实施方式1的半导体器件的制造工序的图。

图2B是根据实施方式1的半导体器件的制造工序的图。

图2C是根据实施方式1的半导体器件的制造工序的图。

图2D是根据实施方式1的半导体器件的制造工序的图。

图2E是根据实施方式1的半导体器件的制造工序的图。

图2F是根据实施方式1的半导体器件的制造工序的图。

图2G是根据实施方式1的半导体器件的制造工序的图。

图2H是根据实施方式1的半导体器件的制造工序的图。

图2I是根据实施方式1的半导体器件的制造工序的图。

图2J是根据实施方式1的半导体器件的制造工序的图。

图3是示出根据实施方式1的半导体器件的动作的图。

图4是示出根据实施方式1的半导体器件的曲率中心的位置的图。

图5是根据实施方式2的半导体器件的剖面图。

图6是根据实施方式3的半导体器件的剖面图。

具体实施方式

(实施方式1)

图1示出根据实施方式1的半导体器件的剖面的概要。

根据实施方式1的半导体器件1包括：具有有光电变换功能的光电二极管部30a且具有光入射面30b的、作为半导体薄膜的p型Si薄膜30；在p型Si薄膜30的与光入射面30b相反侧的表面的一部分区域上形成的栅氧化膜40；在栅氧化膜40上形成的栅电极45；覆盖p型Si薄膜30的形成了栅电极45的一侧的表面、栅氧化膜40以及栅电极45的氧化膜50；在氧化膜50的与p型Si薄膜30侧相反侧的表面的一部分上设置的中间层62；覆盖中间层62的表面的凹面反射层70；覆盖凹面反射层70的表面和氧化膜50的一部分表面而设置的层间绝缘膜80；以及在层间绝缘膜80的表面80a上设置的具有布线85a的布线层85。