[发明专利]激光二极管、光盘装置与光学拾波器无效
申请号: | 200910159940.4 | 申请日: | 2009-07-23 |
公开(公告)号: | CN101635434A | 公开(公告)日: | 2010-01-27 |
发明(设计)人: | 太田诚;横山弘之;仓本大;池田昌夫 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社;国立大学法人东北大学 |
主分类号: | H01S5/32 | 分类号: | H01S5/32;H01S5/06;G11B7/12;G11B7/125 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 褚海英;武玉琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光二极管 光盘 装置 光学 拾波器 | ||
1.一种激光二极管,其包括:
激光器芯片,其包括在彼此相向的第一端面与第二端面之间沿谐振 器长度方向延伸的至少一个激光器条,
其中,所述激光器条沿所述谐振器长度方向包括增益区与可饱和吸 收区,所述激光器条的宽度沿所述谐振器长度方向在所述第一端面和所 述第二端面之间线性增加,并且
所述可饱和吸收区中的所述激光器条的宽度大于所述增益区中的所 述激光器条的宽度,
所述激光器条为脊状,并且所述增益区中的脊的高度大于所述可饱 和吸收区中的脊的高度。
2.如权利要求1所述的激光二极管,
其中,所述可饱和吸收区的长度小于所述增益区的长度。
3.如权利要求2所述的激光二极管,
其中,所述增益区布置于靠近所述第一端面的一侧,且所述可饱和 吸收区布置于靠近所述第二端面的一侧。
4.如权利要求1所述的激光二极管,
其中,所述增益区与所述可饱和吸收区可以彼此独立地工作。
5.如权利要求4所述的激光二极管,
其中,电极分别布置于所述增益区与所述可饱和吸收区上,从而彼 此分开。
6.如权利要求1所述的激光二极管,
其中,所述激光器条为脊状,且所述增益区中的所述激光器条的横 向折射率阶差大于所述可饱和吸收区中的横向折射率阶差。
7.一种激光二极管,其包括:
激光器芯片,其包括在彼此相向的第一端面与第二端面之间沿谐振 器长度方向延伸的至少一个激光器条,
其中,所述激光器条沿所述谐振器长度方向包括增益区与可饱和吸 收区,
所述可饱和吸收区的长度小于所述增益区的长度,
所述可饱和吸收区布置于靠近所述第一端面的一侧以及靠近所述第 二端面的一侧,且所述增益区布置于所述可饱和吸收区之间,
所述激光器条的宽度在所述增益区的长度内是一致的,并且在每个 可饱和吸收区中,所述激光器条在从每个所述第一端面和所述第二端面 到距每个所述第一端面和所述第二端面的距离为L1的点的部分中具有一 致的宽度,在每个可饱和吸收区中,在从距每个所述第一端面和所述第 二端面的距离为L1的点到距每个所述第一端面和所述第二端面的距离为 L2的点的部分中,所述激光器条的宽度线性地减少,其中,所述可饱和 吸收区中的所述激光器条的宽度大于所述增益区中的所述激光器条的宽 度,
所述激光器条为脊状,并且所述增益区中的脊的高度大于所述可饱 和吸收区中的脊的高度。
8.一种激光二极管,其包括:
激光器芯片,其包括在彼此相向的第一端面与第二端面之间沿谐振 器长度方向延伸的至少一个激光器条,
其中,所述激光器条沿所述谐振器长度方向包括增益区与可饱和吸 收区,
所述可饱和吸收区的长度小于所述增益区的长度,
每个所述增益区中的所述激光器条在贯穿每个所述增益区的长度内 具有一致的宽度,在所述可饱和吸收区中,所述激光器条在距所述第一 端面的距离为L2的点与距所述第二端面的距离为L2的点之间的部分中 具有一致的宽度,在从距每个所述第一端面和所述第二端面的距离为L2的点到距每个所述第一端面和所述第二端面距离为L1的点的部分中,所 述可饱和吸收区中的所述激光器条的宽度线性地减少,其中,所述可饱 和吸收区中的所述激光器条的宽度大于每个所述增益区中的所述激光器 条的宽度,
所述增益区布置于靠近所述第一端面的一侧以及靠近所述第二端面 的一侧,且所述可饱和吸收区布置于所述增益区之间,
所述激光器条为脊状,并且所述增益区中的脊的高度大于所述可饱 和吸收区中的脊的高度。
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