[发明专利]激光二极管、光盘装置与光学拾波器

说明书

相关申请的交叉引用 

本申请包含与2008年7月23日向日本专利局提交的JP 2008-189265号日本专利申请相关的主题，将该申请的全部内容通过引用并入此处。 

技术领域

本发明涉及激光二极管、光盘装置以及光学拾波器，且更具体地涉及例如适合用作低噪声光源的激光二极管，以及涉及分别使用该激光二极管作为光源的光盘装置与光学拾波器。 

背景技术

激光二极管被用作光盘装置的光源，所述光盘装置从诸如CD(Compact Disk)以及DVD(Digital Versatile Disk)的光盘读取信息。在所述激光二极管中，由光盘反射回激光二极管的光，即所谓的反馈光干扰激光二极管的振荡状态，从而引起噪声。作为一种减少由反馈光引起的噪声的现有技术，进行自脉动工作的激光二极管是有效的。所述激光二极管的原理是减少激光的相干性以避免由反馈光对激光二极管造成的干扰。 

作为用于自脉动工作的激光二极管，例如，从2004-186678号日本未审查专利申请公报以及V.Z.Tronciu et al.，Opt.Commun.235(2004)409-414中已知一种二电极激光二极管。图9A与9B图示了相关技术中的二电极激光二极管的构造的例子。这里，图9A图示了平面图，且图9B图示了沿图9A的X-X线的剖面图。 

如图9A与9B中所示，二电极激光二极管包括在矩形激光器芯片100的彼此相向的一对平行端面100a与100b之间沿谐振器长度方向的整个长度延伸的激光器条(波导)101。激光器条101在其整个长度内宽度一致。激光器芯片100包括在导电的半导体基板102上形成激光器结构的半导体层103。半导体层103包括活性层以及n侧披覆层、p侧披覆层等(未图示)。靠近激光器条101的端面100a的一侧的部分为增益区104，而靠近端面100b的一侧的部分为可饱和吸收区105。形成的增益区104的长度大于可饱和吸收区105的长度。电极106与107分别布置于增益区104与可饱和吸收区105上。电极106与107之间的区域是电流非注入区(电极分离区)108。电极109布置于激光器芯片100的背面、即半导体基板102的背面上。 

在具有上述构造的二电极激光二极管中，当在分别布置于增益区104的上部与下部中的电极106与109之间施加正向偏压以注入直流电流时，就进行激光振荡。而且，当在分别布置于可饱和吸收区105的上部与下部中的电极107与109之间施加反向偏压时，就进行自脉动工作。 

发明内容

如上所述，在光盘装置中，期望减少激光的相干性。然而，根据本发明的发明人的研究，在相关技术中的上述二电极激光二极管中，即使进行自脉动工作，激光的相干性仍未充分减少。从而，可以利用的激光的功率区域或光盘的设计受到限制，因此实际中难以将相关技术中的上述二电极激光二极管应用于光盘装置的光源。 

需要提供一种能够进行自脉动工作、而且能够充分地减少激光的相干性并稳定地获取低噪声激光的激光二极管。 

还需要提供一种使用上述激光二极管作为光源的光盘装置以及光学拾波器。 

根据本发明的第一实施例，提供了一种激光二极管，其包括：激光器芯片，该激光器芯片包括在彼此相向的第一端面与第二端面之间沿谐振器长度方向延伸的至少一个激光器条，其中，激光器条沿谐振器长度方向包括增益区以及可饱和吸收区，激光器条的宽度沿谐振器长度方向在所述第一端面和所述第二端面之间线性增加，且可饱和吸收区中的激光器条的宽度大于增益区中的激光器条的宽度，所述激光器条为脊状，并且所述增益区中的脊的高度大于所述可饱和吸收区中的脊的高度。 

根据本发明的第一实施例，提供了一种光盘装置，其包括：作为光源的激光二极管，其中，该激光二极管包括激光器芯片，该激光器芯片包括在彼此相向的第一端面与第二端面之间沿谐振器长度方向延伸的至少一个激光器条，所述激光器条沿谐振器长度方向包括增益区与可饱和吸收区，激光器条的宽度沿谐振器长度方向在所述第一端面和所述第二端面之间线性增加，且可饱和吸收区中的激光器条的宽度大于增益区中的激光器条的宽度，所述激光器条为脊状，并且所述增益区中的脊的高度大于所述可饱和吸收区中的脊的高度。