[发明专利]介电陶瓷组合物及其所制成的积层陶瓷电容器有效
申请号: | 200910160105.2 | 申请日: | 2009-07-17 |
公开(公告)号: | CN101607819A | 公开(公告)日: | 2009-12-23 |
发明(设计)人: | 裴修祥;吴旻修;王伟宸 | 申请(专利权)人: | 苏州达方电子有限公司;达方电子股份有限公司 |
主分类号: | C04B35/49 | 分类号: | C04B35/49;H01G4/30;H01G4/12 |
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地址: | 215011江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 组合 及其 制成 电容器 | ||
1.一种介电陶瓷组合物,其特征在于该介电陶瓷组合物包括:
主成份,其组成如下:(BaxSryCa1-x-y)m(TizZr1-z)O3,其中0<x<0.6,0.1 <y<0.7,0.03<z<0.1且0.8<m<1.2;
第一掺杂物,该第一掺杂物与该主成份的摩尔比例值介于0.003~0.075 之间,该第一掺杂物为锰、铬、钒或铁的氧化物;
第二掺杂物,该第二掺杂物与该主成份的摩尔比例值介于0.003~0.03 之间,该第二掺杂物为钇、铽、镝、钬、铒、铥或镱的氧化物;以及
玻璃质成份,该玻璃质成份与该主成份的摩尔比例值介于0.002~0.02 之间,且该玻璃质成份择自Ma2O、MbO、Mc2O3及MdO2所组成的群组,且 该玻璃质成份中MdO2的含量为50wt%以上并低于100wt%,其中元素Ma 是选自锂、钠及钾所组成的群组,元素Mb是选自铍、镁、钙、锶及钡所组 成的群组,元素Mc是选自硼、铝及镓所组成的群组,元素Md是选自硅及 锗所组成的群组。
2.如权利要求1所述的介电陶瓷组合物,其特征在于该第一掺杂物与该 第二掺杂物的添加比例为1∶1。
3.如权利要求1所述的介电陶瓷组合物,其特征在于该玻璃质成份为二 氧化硅或其含氧化锂、氧化钡及氧化钙的混合物。
4.如权利要求1所述的介电陶瓷组合物,其特征在于该玻璃质成份中的 MdO2的含量为50wt%以上并低于100wt%、Mc2O3的含量为30wt%以下、 MbO的含量为30wt%以下且Ma2O的含量为30wt%以下。
5.如权利要求1所述的介电陶瓷组合物,其特征在于该介电陶瓷组合物 可在1150℃~1300℃完成烧结致密化。
6.一种积层陶瓷电容器,其特征在于该积层陶瓷电容器包含:
由如权利要求1-5任意一项所述的介电陶瓷组合物烧结而成的陶瓷介电 质;
复数个内部电极,平行延伸于该陶瓷介电质内;以及
至少一外部电极,曝露于该陶瓷介电质外,并电性连接该些内部电极。
7.如权利要求6所述的积层陶瓷电容器,其特征在于该内部电极为镍。
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