[发明专利]介电陶瓷组合物及其所制成的积层陶瓷电容器

说明书

技术领域

本发明是有关于一种介电陶瓷组合物及其所制成的积层陶瓷电容器，且特 别是有关于一种可符合NPO温度范围的介电陶瓷组合物及其所制成的积层陶瓷 电容器。

背景技术

近年来，由于电子元件的发展趋势朝向小型化、晶片化、多功能化及高容 量化，各种整合型技术开始受到重视，电容器亦不例外，除了元件薄小化与多 层化的设计已是不可避免的趋势外，高电容值及微小晶粒结构的介电材料设计 要求也日益严谨，因此陶瓷电容器的发展亦朝向在最小体积发挥最大功能的方 向进行开发。

商用陶瓷电容器的应用可以分为Class I与Class II两组，其中Class I中的 NPO多用于通讯产品上，NPO是指电容温度系数(TCC)介于+30～-30ppm/℃ 之间。

发明内容

本发明提供一种介电陶瓷组合物，可符合NPO的电容温度系数。

本发明揭露一种介电陶瓷组合物。介电陶瓷组合物包括主成份、第一掺杂 物、第二掺杂物以及玻璃质成份。主成份由(Ba_xSr_yCa_1-x-y)_m(Ti_zZr_1-z)O₃组成，其 中0＜x＜0.6，0.1＜y＜0.7，0.03＜z＜0.1且0.8＜m＜1.2。第一掺杂物与主成份 的摩尔比例值介于0.003～0.075之间，且第一掺杂物为锰(Mn)、铬(Cr)、钒(V) 或铁(Fe)所组成的氧化物。第二掺杂物与主成份的摩尔比例值介于0.003～0.03 之间，且第二掺杂物是为钇(Y)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)或镱 (Yb)所组成的氧化物。玻璃质成份与主成份的摩尔比例值介于0.002～0.02之间， 而玻璃质成份是择自Ma₂O、MbO、Mc₂O₃及MdO₂所组成的群组，其中元素 Ma是选自锂、钠及钾所组成的群组，元素Mb是选自铍、镁、钙、锶及钡所组 成的群组，元素Mc是选自硼、铝及镓所组成的群组，元素Md是选自硅及锗所 组成的群组。

作为可选的技术方案，其中所述的第一掺杂物与第二掺杂物的添加比例为 1∶1。

作为可选的技术方案，其中所述的玻璃质成份为二氧化硅(SiO₂)或其含氧 化锂、氧化钡及氧化钙的混合物。

作为可选的技术方案，其中所述的玻璃质成份中的MdO₂的含量为50wt％ 以上并低于100wt％、Mc₂O₃的含量为30wt％以下、MbO的含量为30wt％以下 且Ma₂O的含量为30wt％以下。

作为可选的技术方案，其中所述的介电陶瓷组合物可在1150℃～1300℃完 成烧结致密化。

本发明另提出一种积层陶瓷电容器。积层陶瓷电容器包含陶瓷介电质、复 数个内部电极、复数个内部电极以及至少一外部电极。陶瓷介电质由如上述包 括主成份、第一掺杂物、第二掺杂物以及玻璃质成份的介电陶瓷组合物烧结而 成，而这些内部电极，平行延伸于陶瓷介电质内，且外部电极则曝露于陶瓷介 电质外，并电性连接这些内部电极。

作为可选的技术方案，其中所述的第一掺杂物与第二掺杂物的添加比例为 1∶1。

作为可选的技术方案，其中所述的玻璃质成份为二氧化硅(SiO₂)或其含氧 化锂、氧化钡及氧化钙的混合物。

作为可选的技术方案，其中所述的玻璃质成份中的MdO₂的含量为50wt％ 以上并低于100wt％、Mc₂O₃的含量为30wt％以下、MbO的含量为30wt％以下 且Ma₂O的含量为30wt％以下。

作为可选的技术方案，其中所述的内电极为镍。

作为可选的技术方案，其中所述的介电陶瓷组合物可在1150℃～1300℃完 成烧结致密化。

综上所述，本发明是透过主成份、第一掺杂物、第二掺杂物以及玻璃质成 份之间的相互搭配，提供一种可符合NPO的电容温度系数的介电陶瓷组合物及 其所制成的积层陶瓷电容器。

附图说明