[发明专利]存储器元件

权利要求书

1.一种存储器元件，包括：

一基材，其具有一存储器元件区域与一保护元件区域；

一第一介电层，形成于该基材之上；

一第二介电层，形成于该第一介电层之上；

一电容开口，形成于该存储器元件区域的第二介电层内；

一杯型电容，顺延地形成于该存储器元件区域的电容开口的底部与侧壁 上，其中该杯型电容包括一下电极、一电容介电层以及一上电极，且该上电 极具有一第一区域延伸至该保护元件区域；

一二极管，形成于该保护元件区域的基材中；

一接触插塞，形成于该保护元件区域的基材上，且电性连接至该二极管；

一介层插塞，形成于该保护元件区域的基材上，且电性连接至该上电极 的第一区域；以及

一导线，形成于该接触插塞与该介层插塞之上。

2.如权利要求1所述的存储器元件，其中该二极管是一PN结二极管。

3.如权利要求2所述的存储器元件，还包括一金属硅化物区域位于该 PN结二极管之上。

4.如权利要求1所述的存储器元件，还包括：

一第三介电层，形成于该第二介电层之上，其中该上电极延伸至该保护 元件区域的第一区域是形成于该第二介电层与该第三介电层之间；

其中该导线形成于该第三介电层之上；

其中该接触插塞穿过该第一、第二与第三介电层，且其具有一端连接至 该二极管与另一端连接至该导线；以及

其中该介层插塞形成于该第三介电层中，且具有一端连接至该上电极的 第一区域与另一端连接至该导线。

5.如权利要求4所述的存储器元件，其中该接触插塞包括一第一接触插 塞形成于该第一介电层中，与一第二接触插塞形成于该第二与该第三介电层 中。

6.如权利要求1所述的存储器元件，其中该电容为一金属-绝缘层-金属 电容。

7.一种存储器元件，包括：

一基材，具有一第一元件区域与一第二元件区域；

一晶体管，形成于该第一元件区域中，其包括一形成于该基材上的栅极 与形成于该基材中且相邻于栅极侧壁的源极/漏极区域；

一PN结二极管，形成于该第二元件区域的基材中；

一第一介电层，形成于该基材之上；

一第二介电层，形成于该第一介电层之上；

一电容开口，形成于该存储器元件区域的第二介电层内；一杯型电容， 形成于该第一元件区域中的晶体管上且顺延地形成于该第一元件区域的电 容开口的底部与侧壁，其包括一下电极、一电容介电层与一上电极，且该上 电极具有一第一区域延伸至该第二元件区域；

一接触插塞，形成于该第二元件区域的基材上且电性连接至该PN结二 极管；

一介层插塞，形成于该第二元件区域的基材上且电性连接至该上电极的 第一区域；以及

一导线，形成于该接触插塞与该介层插塞之上且电性连接至该接触插塞 与该介层插塞。

8.如权利要求7所述的存储器元件，还包括：

一第三介电层，形成于该第二介电层之上，其中从该上电极的第一区域 延伸至该保护元件区域是形成于该第二介电层与该第三介电层之间；

其中该导线形成于该第三介电层之上；

其中该接触插塞穿过该第一、第二与第三介电层，且其具有一端连接至 该PN结二极管与另一端连接至该导线；以及

其中该介层插塞形成于该第三介电层中，且具有一端连接至该上电极的 第一区域与另一端连接至该导线。

9.如权利要求8所述的存储器元件，其中该接触插塞包括一第一接触插 塞形成于该第一介电层中，与一第二接触插塞形成于该第二与该第三介电层 中。

10.如权利要求7所述的存储器元件，其中该电容为一金属-绝缘层-金属 电容。