[发明专利]薄膜晶体管阵列基板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，具有：

多条扫描线；

绝缘膜，覆盖上述扫描线而形成；

多条信号线，设置在上述绝缘膜上，具有隔着上述绝缘膜与上述各扫 描线交叉的交叉部；

多个薄膜晶体管，分别具有半导体层、栅极绝缘膜、与上述扫描线连 接的栅电极、漏电极及源电极；

多个中继电极，分别具有：第一重合部，设置在上述信号线的至少上 述交叉部上，具有与上述信号线的上述交叉部的长度相同或比上述信号线 的上述交叉部的长度长的长度；第二重合部，形成在上述漏电极上；以及 连接部分，连接上述第一重合部和上述第二重合部；该中继电极对上述信 号线和上述漏电极进行电连接；以及

像素电极，与上述各薄膜晶体管的上述源电极连接。

2.如权利要求1记载的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，

上述中继电极的第一重合部的宽度与上述交叉部处的上述信号线的宽 度相同，或为上述交叉部处的上述信号线的宽度以下。

3.如权利要求1记载的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，

上述中继电极的上述第一重合部的长度比上述扫描线的宽度大。

4.如权利要求1记载的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，

上述第二重合部具有对上述漏电极的宽度方向上的两侧端面进行覆盖 的部分。

5.如权利要求1记载的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，

还具有台座部，该台座部具有重合在上述源电极上的第三重合部和在 沿着上述信号线的方向上延伸的主体部；

上述像素电极使上述台座部介于中间而连接至上述源电极。

6.如权利要求5记载的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，

上述中继电极及上述台座部由相同的材料形成。

7.如权利要求5记载的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，

上述中继电极及上述台座部由透明电极膜构成。

8.如权利要求5记载的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，

上述第三重合部具有对上述源电极的宽度方向上的两侧端面进行覆盖 的部分。

9.如权利要求5记载的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，

上述主体部形成为比上述第三重合部宽度宽。

10.如权利要求5记载的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，

上述主体部形成在上述栅极绝缘膜上。

11.如权利要求1记载的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，还具有：

在上述像素电极与上述信号线之间设置的其他的绝缘膜，以及

在上述像素电极的外周部内侧具有内周边缘的框状的辅助电容电极。

12.如权利要求11记载的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，

还具有台座部，该台座部具有重合在上述源电极上的第三重合部和在 沿着上述信号线的方向上延伸的主体部；

上述像素电极使上述台座部介于中间而连接至上述源电极。

13.如权利要求12记载的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，

上述中继电极及上述台座部由透明电极膜构成。

14.如权利要求2记载的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，

上述主体部形成为比上述第三重合部宽度宽。

15.如权利要求13记载的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，

上述主体部形成在上述栅极绝缘膜上。