[发明专利]薄膜晶体管阵列基板

说明书

技术领域

本发明涉及适合应用于液晶显示装置等显示装置的、能够实现高开口 率化及高精细化的薄膜晶体管阵列基板。

背景技术

以往的液晶显示装置例如日本特许公开2004-341185号公报所公开 的，构成为具备：多条扫描线及信号线；像素电极；薄膜晶体管，在扫描 线与信号线的各交点附近，具有与扫描线连接设置的栅电极、与信号线连 接设置的漏电极以及与像素电极连接设置的源电极；辅助电容线，通过与 像素电极重合的部分来形成辅助电容部；相对电极；以及液晶，设置在各 像素电极与该相对电极之间。

在该液晶显示装置中，薄膜晶体管中与像素电极连接的源电极和与信 号线连接的漏电极所成的对沿着扫描线的排列方向设置。

进而，源电极与沿着扫描线平行延伸的台座部一体形成，台座部与像 素电极经由该台座部上的绝缘层中设置的接触孔连接，其结果，像素电极 与源电极连接。

在这样的液晶显示装置中，在扫描线及信号线上隔着第一绝缘膜设置 辅助电容部，由该辅助电容部覆盖扫描线及信号线。在该辅助电容部上， 隔着第二绝缘膜形成像素电极。由此，能够将扫描线、信号线及薄膜晶体 管与像素电极重叠配置，将像素电极的间隔缩小至其加工极限，实现了高 开口率。

另一方面，在日本特许公开2002-098993号公报中，公开了具备所谓 三角排列的像素电极的液晶显示装置。在该液晶显示装置中，将相互错开 配置的同色的像素电极连接至信号线时，以薄膜晶体管的栅电极、漏电极 及源电极的排列方向作为列方向，使漏电极从信号线向行方向凸出，所以 在源电极附近例如形成了L字形的槽。在形成包括漏电极在内的信号线及 源电极时，该L字形的槽由于光抗蚀剂膜的存在而在某种程度上变深，将 该光抗蚀剂膜作为掩膜来蚀刻金属膜时，蚀刻液容易滞留在上述L字形的 槽内。存在因此发生加工不良的危险，根据情况，有时在包括漏电极的信 号线与源电极之间发生短路。

因此，在日本特许公开2002-098993号公报的液晶显示装置中，将信 号线的侧边缘原样用作漏电极，并且相对于漏电极在扫描线的方向上配置 源电极，消除了上述L字形的槽。

由此，在形成漏电极、与该漏电极连接的信号线及源电极时，以抗蚀 剂膜作为掩膜来蚀刻金属膜时，蚀刻液不滞留，能够力所能及地避免加工 不良、漏电极与源电极之间的短路。

但是，在日本专利公开2004-341185号公报所示的液晶显示装置中， 如果进一步推进高精度化，则划分出像素的扫描线及信号线的节距(pitch) 变得狭小，例如变为20μm以下的程度时，在相邻的信号线之间，难以在 扫描线的方向上直线形地配置薄膜晶体管中的源电极和漏电极。

因此，可以考虑如图7所示的液晶显示装置1。即，液晶显示装置1具 备：多条扫描线2，沿着行方向配置；多条信号线3，沿着列方向配置；多 个薄膜晶体管4，配置在由扫描线2及信号线3划分出的每个区域中；像素 电极5，通过接触孔连接至各薄膜晶体管4的源电极4a；以及辅助电容电 极6，隔着绝缘膜(未图示)设置在像素电极5与扫描线2及信号线3之间。

此时，为了对应于相邻的信号线3之间的狭小节距，沿着信号线3的 方向配置了薄膜晶体管4中的源电极4a及漏电极4b，而且，薄膜晶体管4 中的栅电极4c由扫描线2的一部分构成。另外，信号线3之中与扫描线2 交叉的部位，其信号线3的线宽变宽，延伸设置到栅电极4c上，俯视构成 L字形的连接部3a。作为该连接部3a之中与扫描线2的长度方向平行地从 信号线3凸出的部分的前端部，上述漏电极4b与信号线3一体形成。

通过该L字形的连接部3a，形成了三面被围的凹部区域4g，所以与上 述日本特许公开2002-098993号公报的情况相同，在形成信号线3、漏电 极4b时，形成包括连接部3a及漏电极4b在内的凹部区域4g时的蚀刻液 和蚀刻后的清洗液滞留于该凹部区域4g，根据情况在清洗后也会滞留，有 发生加工不良、干燥不佳等的危险。

但是，在该液晶显示装置1中，栅电极4c由扫描线2的一部分构成， 信号线间的节距狭小，所以为了避免这样的凹部区域4g而利用日本特许公 开2002-098993号公报那样的结构是困难的。