[发明专利]具双向传输机制的移位缓存器电路

权利要求书

1.一种具双向传输机制的移位缓存器电路，其特征在于，所述移位缓存 器电路用以提供多个栅极信号至多个栅极线；其中，

所述移位缓存器电路包含多级移位缓存器，所述移位缓存器的一第N级移 位缓存器包含：

一上拉单元，电连接于所述栅极线的一第N栅极线，用来根据一驱动控制 电压与一第一频率以上拉所述栅极信号的一第N栅极信号，其中所述第N栅极 线用以传输所述第N栅极信号；

一进位单元，用以根据所述驱动控制电压与所述第一频率产生一前置启 始脉冲信号；

一进位控制单元，电连接于所述进位单元以接收所述前置启始脉冲信号， 用来根据一第一偏压与一第二偏压将所述前置启始脉冲信号输出为一第N下 传启始脉冲信号或一第N上传启始脉冲信号；

一输入单元，电连接于所述移位缓存器的一第N-1级移位缓存器与一第 N+1级移位缓存器以接收一第N-1下传启始脉冲信号与一第N+1上传启始脉冲 信号，用来将具高电压准位的所述第N-1下传启始脉冲信号或所述第N+1上传 启始脉冲信号输入为所述驱动控制电压；

一控制单元，用来根据所述第一频率、所述第N栅极信号与所述驱动控制 电压产生一控制信号；

一第一下拉单元，电连接于所述控制单元、所述第N栅极线与所述进位单 元，用来根据所述控制信号、一第二频率、或一第四频率以下拉所述第N栅极 信号以及根据所述第四频率以下拉所述前置启始脉冲信号；以及

一第二下拉单元，电连接于所述输入单元与所述第N栅极线，用来根据一 第三频率以下拉所述驱动控制电压与所述第N栅极信号；

其中N为一大于1的正整数。

2.如权利要求1所述的移位缓存器电路，其特征在于，所述移位缓存器 电路进一步包含：

一储能单元，电连接于所述上拉单元、所述输入单元与所述进位单元， 用来根据所述第N-1下传启始脉冲信号或所述第N+1上传启始脉冲信号执行一 充电程序，以提供所述驱动控制电压至所述上拉单元与所述进位单元。

3.如权利要求2所述的移位缓存器电路，其特征在于，其中所述储能单 元包含一电容，用以执行所述充电程序与储存所述驱动控制电压。

4.如权利要求1所述的移位缓存器电路，其特征在于，其中所述输入单 元包含：

一第一晶体管，包含：

一第一端，电连接于所述第N-1级移位缓存器以接收所述第N-1下传 启始脉冲信号；

一栅极端，电连接于所述第一晶体管的第一端；以及

一第二端，电连接于所述上拉单元与所述进位单元；以及

一第二晶体管，包含：

一第一端，电连接于所述第N+1级移位缓存器以接收所述第N+1上传 启始脉冲信号；

一栅极端，电连接于所述第二晶体管的第一端；以及

一第二端，电连接于所述第一晶体管的第二端。

5.如权利要求1所述的移位缓存器电路，其特征在于，其中所述上拉单 元包含一晶体管，所述晶体管包含：

一第一端，用以接收所述第一频率；

一栅极端，电连接于所述输入单元以接收所述驱动控制电压；以及

一第二端，电连接于所述第N栅极线。

6.如权利要求1所述的移位缓存器电路，其特征在于，其中所述进位单 元包含一晶体管，所述晶体管包含：

一第一端，用以接收所述第一频率；

一栅极端，电连接于所述输入单元以接收所述驱动控制电压；以及

一第二端，电连接于所述进位控制单元，用以输出所述前置启始脉冲信 号。