[发明专利]功率半导体模块有效
申请号: | 200910160922.8 | 申请日: | 2009-07-24 |
公开(公告)号: | CN101651123A | 公开(公告)日: | 2010-02-17 |
发明(设计)人: | 马库斯·克内贝尔 | 申请(专利权)人: | 赛米控电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/485;H01L23/488;H01L23/02;H01L23/10 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 车 文;樊卫民 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 半导体 模块 | ||
1.功率半导体模块(1),具有衬底(10)、壳体(3)和在所述 壳体(3)内部的至少一个第一接触元件(6)以及至少一个第二接触 元件(4),所述第一接触元件(6)带有至少一个配属于所述接触元 件的支承部(32),
其中,所述第一接触元件(6)由具有至少一个第一层(60、64) 和至少一个绝缘层(62)的交替的层序列来布置而成,
并且其中,所述第一接触元件(6)具有至少一个第一接触区段 (68),用于与所述第二接触元件(4)进行触点接通,
并且其中,所述第二接触元件(4)具有至少一个布置于所述功率 半导体模块的内部的第二接触区段(40),用于与所述第一接触区段 (68)进行触点接通,以及具有至少一个穿过所述壳体的外侧(36) 进行伸展的第三接触区段(42),用于对外进行触点接通,
其中,所述壳体具有配属于所述第二接触元件(4)的所述第三接 触区段(42)的、伸展到所述壳体的所述外侧(36)的穿引部(34),
并且其中,在所述第一接触元件(6)的所述第一接触区段(68) 与所述第二接触元件(4)的所述第二接触区段(40)之间构成有空腔 (5),导电的填充物(50)位于所述空腔(5)中。
2.按权利要求1所述的功率半导体模块,其中,所述第二接触元 件(4)与所述壳体(3)持久而牢固地连接。
3.按权利要求2所述的功率半导体模块,其中,所述壳体(3) 与所述第二接触元件(4)的所述持久的连接通过对所述第二接触元件 以壳体材料进行部分地夹物模压或者借助在所述壳体(3)与所述第二 接触元件(4)之间的粘接连接来构造。
4.按权利要求1所述的功率半导体模块,其中,将所述导电的填 充物(50)构成为焊剂(50a)或者构成为导电粘合剂(50b)。
5.按权利要求1所述的功率半导体模块,其中,所述空腔(5) 呈漏斗形或呈楔形地构造。
6.按权利要求5所述的功率半导体模块,其中,漏斗形的或者楔 形的所述空腔(5)的开口在所述衬底(10)的方向上构造。
7.按权利要求1所述的功率半导体模块,其中,所述空腔(5) 具有存储处(52),用于接纳能导电的填充物(50)。
8.按权利要求1所述的功率半导体模块,其中,所述导电的填充 物(50)具有如下的填充体积,所述填充体积为袋形的所述空腔(5) 的体积的至少50%。
9.按权利要求1所述的功率半导体模块,其中,所述支承部(32) 一体地由所述壳体材料所构成。
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