[发明专利]声波装置、发射设备和声波装置制作方法

权利要求书

1.一种第一声波装置，包括：

第二声波装置，包括：

由压电材料制成的衬底，

形成在所述衬底上的一对交叉指型电极，每个所述交叉指型电极包括多个电极指，以及

调整介质，所述调整介质包括至少一个单层并且形成在该对所述交叉指型电极的至少一部分上，所述调整介质包括厚部分以及厚度为零或者比所述厚部分更薄的薄部分，所述厚部分的面积与根据预定特性值所确定的区域相对，所述面积包括所述交叉指型电极以及相邻的所述电极指之间的多个空间。

2.根据权利要求1所述的第一声波装置，还包括，多个所述第二声波装置，确定每个所述厚部分的所述面积，以使得各个所述第二声波装置的每个谐振频率或反谐振频率都接近各个预定的频率。

3.根据权利要求2所述的第一声波装置，其中，所述衬底为晶片。

4.根据权利要求1所述的第一声波装置，其中，所述调整介质包括第一介质和形成在所述第一介质上的第二介质，所述第一介质形成在该对所述交叉指型电极上方，并且根据所述预定特性值确定所述第二介质的面积。

5.根据权利要求4所述的第一声波装置，其中，所述调整介质包括形成在所述第二介质上的第三介质。

6.根据权利要求2所述的第一声波装置，其中，多个所述第二声波装置包括部分地形成在该对所述交叉指型电极上方的第一介质，多个所述第二声波装置中的一些包括形成在所述第一介质上的第二介质，并且多个所述第二声波装置中其余的每个包括具有与所述第二介质的声速不同的声速的第三介质，确定在所述第一介质上的所述第二介质和所述第三介质的各自的面积，以使得各个所述第二声波装置的每个谐振频率或反谐振频率都接近各个预定的频率。

7.根据权利要求6所述的第一声波装置，还包括形成在所述第二介质和所述第三介质上的第四介质。

8.根据权利要求6所述的第一声波装置，其中，所述第一介质的声速小于所述第二介质的声速并高于所述第三介质的所述声速。

9.根据权利要求1所述的第一声波装置，其中，所述调整介质包括具有所述厚部分和所述薄部分的图案层。

10.根据权利要求1所述的第一声波装置，其中，所述调整介质包括具有均匀厚度的第四介质和形成在所述第四介质上的图案层，所述第四介质形成在所述面积上。

11.根据权利要求10所述的第一声波装置，其中，所述图案层形成在所述面积上。

12.根据权利要求10所述的第一声波装置，还包括形成在所述图案层上的介质。

13.根据权利要求1所述的第一声波装置，其中，所述交叉指型电极的材料包括铝、钛、铜、金、镍、铬、钽和钨中的一者。

14.根据权利要求1所述的第一声波装置，其中，所述调整介质包括SiO₂、Al₂O₃、SiN、SiC或类金刚石碳作为主要成份。

15.根据权利要求1所述的第一声波装置，其中，所述压电材料为LiTaO₃衬底和LiNbO₃衬底中的一者。

16.一种第三声波装置，包括：

形成在压电衬底上的滤波器，包括，

第二声波装置，包括：

由压电材料制成的衬底，

形成在所述衬底上的一对交叉指型电极，每个所述交叉指型电极包括多个电极指，以及

调整介质，所述调整介质包括至少一个单层并且形成在该对所述交叉指型电极的至少一部分上，所述调整介质包括厚部分以及厚度为零或者比所述厚部分更薄的薄部分，所述厚部分的面积与根据预定特性值所确定的区域相对，所述面积包括所述交叉指型电极以及相邻的所述电极指之间的多个空间。