[发明专利]声波装置、发射设备和声波装置制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种表面声波装置或边界波装置。

背景技术

作为声波应用的装置，表面声波(SAW)装置是公知的。SAW装置使用在各种电路中，以处理通常用于手机等的从45MHz到2GHz范围的频带的无线电信号。各种电路的例子包括发射带通滤波器、接收带通滤波器、本振滤波器、天线双工器、IF滤波器和FM调制器。

在最近几年，由于高性能和降低手机尺寸的要求，需要改善声波装置的特性，诸如在使用的频段之外的频率上的高抑制以及温度稳定性的增加。用于改善温度稳定性的方法已经发展出来，其中诸如SiO₂的电介质形成在压电衬底的交叉指型电极上。此外，已经发展出了边界波装置，以减小使用边界波装置的装置的尺寸。由于额外的电介质层与压电衬底之间的阱能级，边界波装置在形成在交叉指型电极上的电介质层上具有额外的电介质层。

大部分声波装置有时具有频率变化的共同问题，这是声波装置的特性之一并且频率变化是由制作变化所引起的。为解决这个问题，已经公开了用于调整频率的各种方法(例如，参考日本公开专利申请No.02-301210和国际申请2005-083881)。

作为示例，日本公开专利申请No.02-301210已经提出了一种方法，其中通过在交叉指型电极、反射器和压电衬底上使用例如等离子化学气相沉积(CVD)以形成SiN薄膜来调整频率。可选择地，国际公开文本No.WO2005/083881已经提出了一种方法，其中通过在形成在交叉指型电极上的SiO₂薄膜上形成SiN薄膜并通过物理蚀刻方法减小SiN薄膜的厚度或者通过溅射方法增加厚度来调整频率。

此外，国际公开文本No.WO 2005/093949已经提出了一种频率调节方法，通过调节在边界波装置中的第二介质的厚度来调节频率，其中边界波装置具有设置在第一与第二介质之间的边界处的交叉指型变换器电极。

发明内容

因此，本发明的目的为以小数目的步骤容易地调整声波装置的频率特性。

根据本发明的一个方面，一种第一声波装置包括第二声波装置。该第二声波装置包括由压电材料制成的衬底、形成在衬底上的一对交叉指型电极以及调整介质，其中每个交叉指型电极包括多个电极指。该调整介质至少包括第一单层并且形成在这一对交叉指型电极的至少一部分上。调整介质包括厚部分以及厚度为零或者比厚部分更薄的薄部分，厚部分的面积与根据预定特性值所确定的区域相对，该面积包括交叉指型电极以及相邻的电极指之间的多个面积。

通过在权利要求中具体指出的元件和组合的手段可以实现和获得本发明的目的和优点。

如权利要求所述，应该认识到上述概要描述和以下详细描述是模范性的和解释性的并且不是本发明的限制。

附图说明

图1A为第一实施例的声波装置的示意图，并且图1B是沿着图1A中的线a-a’的声波装置的截面图；

图2A为第一实施例的在用于调节频率的调整介质覆盖整个声波装置的50％的情况下的声波装置的示意图，并且图2B为沿着图2A中的线a-a’的声波装置的截面图；

图3A为第一实施例的在用于调节频率的调整介质覆盖整个声波装置的75％的情况下的声波装置的示意图，并且图3B为沿着图3A中的线a-a’的声波装置的截面图；

图4为描述了对应于各个声波装置的调整介质的面积的导纳曲线；

图5为描述了频率调整介质的面积与各个声波装置的反谐振频率移动量之间的关系的曲线；

图6为描述了各个声波装置的特征频率的偏差和偏差分布的晶片的示意图；

图7A为形成在图6中示出的区域T1中的声波装置的示意图，并且图7B为沿着图7A中的线a-a’的声波装置的截面图，图7C到7K为对应于分别形成在区域T2到T10上的各个声波装置沿着线a-a’的截面图；

图8A和8B为描述了形成在晶片上的声波装置的制作过程的示意图；

图9A为根据第一实施例的第一修改例的声波装置的示意图，并且图9B为沿着图9A中的线a-a’的声波装置的截面图；

图10A为根据第二实施例的声波装置的示意图，并且图10B为沿着图10A中的线a-a’的声波装置的截面图；

图11A为根据第三实施例的声波装置的示意图，并且图11B为沿着图11A中的线a-a’的声波装置的截面图；

图12A为根据第三实施例的一个修改例的声波装置的示意图，并且图12B为沿着图12A中的线a-a’的声波装置的截面图；

图13A为根据第三实施例的另一个修改例的声波装置的示意图，并且图13B为沿着图13A中的线a-a’的声波装置的截面图；