[发明专利]半导体制造装置的清洗装置及清洗方法有效

专利信息
申请号: 200910161234.3 申请日: 2009-07-24
公开(公告)号: CN101637766A 公开(公告)日: 2010-02-03
发明(设计)人: 小久保峰幸;山涌纯;守屋刚 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: B08B3/02 分类号: B08B3/02
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 李 伟;舒艳君
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 制造 装置 清洗 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体制造装置的清洗装置,其特征在于,具有:

纯水水蒸气生成容器,其由纯水生成纯水水蒸气;

供给口,其将纯水水蒸气供给到被清洗部位;

供给管路,其连接上述纯水水蒸气生成容器和上述供给口;

回收口,其设置于上述供给口的周围,从被清洗部位回收在清洗中使用后的使用完毕水蒸气;

回收容器,其使使用完毕水蒸气凝结并回收;以及

回收管路,其连接上述回收口和上述回收容器,

上述供给管路及上述回收管路在上述供给口侧和上述回收口侧的一部分是双重管路构造,

上述回收容器上连接有作为用来回收纯水水蒸气的吸引源的真空吸尘器。

2.根据权利要求1所述的半导体制造装置的清洗装置,其特征在于,关于上述回收口,其筒状部件的开口端的侧壁部的一部分为突出成倒V字形的凸形。

3.根据权利要求1所述的半导体制造装置的清洗装置,其特征在于,关于上述回收口,筒状部件的开口端的相对向的侧壁部的一部分为凹陷成V字形的凹形。

4.根据权利要求1所述的半导体制造装置的清洗装置,其特征在于,关于上述回收口,至少其开口部的周围由弹性部件形成。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的半导体制造装置的清洗装置,其特征在于,上述供给管路与纯水水蒸气的接触面用树脂制成。

6.根据权利要求1至4中任意一项所述的半导体制造装置的清洗装置,其特征在于,上述供给管路与纯水水蒸气的非接触面用导电性材料制成。

7.根据权利要求1至4中任意一项所述的半导体制造装置的清洗装置,其特征在于,关于上述纯水水蒸气生成容器,在下半部区域配置有用于产生纯水水蒸气的加热器。

8.根据权利要求7所述的半导体制造装置的清洗装置,其特征在于,上述纯水水蒸气生成容器做成为能够在下半部区域中贮存纯水。

9.根据权利要求1至4中任意一项所述的半导体制造装置的清洗装置,其特征在于,上述纯水水蒸气生成容器与纯水的接触面由树脂构成。

10.一种半导体制造装置的清洗方法,其特征在于,具有:

用纯水水蒸气生成容器将纯水生成纯水水蒸气的工序;

通过供给管路将纯水水蒸气从上述纯水水蒸气生成容器供给到供给口的工序;

将纯水水蒸气从上述供给口供给到被清洗部位的工序;

通过设置于上述供给口的周围的回收口从被清洗部位回收在清洗中使用后的使用完毕水蒸气的工序;

通过回收管路将使用完毕水蒸气从上述回收口回收到回收容器中的工序;以及

用上述回收容器使使用完毕的水蒸气凝结的工序。

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