[发明专利]半导体制造装置的清洗装置及清洗方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种对用于处理半导体晶片等而制造半导体器件的半导体制造装置进行清洗的半导体制造装置的清洗装置及清洗方法。

背景技术

迄今为止，半导体器件的制造工序中一直使用的是用于处理半导体晶片等基板而制造半导体器件的半导体制造装置。在这种半导体制造装置中，例如，在成膜装置及蚀刻装置中，在处理半导体晶片等的处理室内等由于处理有时被堆积物及微粒等污染。因此，在保养维护时等要进行半导体制造装置的清洗。

在上述这种半导体制造装置的清洗中，操作者往往通过使用沾有乙醇等的布进行擦拭、干擦等手工作业地进行。此外，还公知有在拆下部件进行清洗的情况下，通过喷气清洗、超声波清洗来进行清洗的方法(例如，参见专利文献1)。

专利文献1：日本特开2003-273078号公报

如上所述，以往，通过无纺布的擦拭等来进行半导体制造装置的清洗。然而，这种清洗方法存在下述问题：由于用手工作业进行擦拭，所以因操作者的不同清洗效果会产生差异，难以得到恒定的清洗效果。此外，还存在以下问题：对于装置内的手够不到的地方、微小的地方、有凹凸的地方等有时会出现清洗不充分，即使刚清洗之后也会产生微粒。另外，还存在以下问题：有时会因擦拭而产生二次污染，由于人直接接触到堆积物等，因而是危险的。

此外，在通过超声波清洗、喷气清洗来进行清洗的情况下，存在必须拆下部件而进行，清洗作业需要时间和功夫的问题。

发明内容

本发明是为了解决上述以往的情况而做出的，其目的在于，提供一种与以往相比能够高效率地进行清洗作业，并且能够得到更好的清洗效果的半导体制造装置的清洗装置及清洗方法。

技术方案1的半导体制造装置的清洗装置的特征在于，具有：纯水水蒸气生成容器，其由纯水生成纯水水蒸气；供给口，其将纯水水蒸气供给到被清洗部位；供给管路，其连接上述纯水水蒸气生成容器和上述供给口；回收口，其设置于上述供给口的周围，从被清洗部位回收在清洗中使用后的使用完毕水蒸气；回收容器，其使使用完毕水蒸气凝结并回收；以及回收管路；其连接上述回收口和上述回收容器。

技术方案2的半导体制造装置的清洗装置的特征在于，在技术方案1所述的半导体制造装置的清洗装置中，关于上述回收口，筒状部件的开口端的侧壁部的一部分为突出成倒V字形的凸形。

技术方案3的半导体制造装置的清洗装置的特征在于，在技术方案1所述的半导体制造装置的清洗装置中，关于上述回收口，筒状部件的开口端的相对向的侧壁部的一部分为凹陷成V字形的凹形。

技术方案4的半导体制造装置的清洗装置的特征在于，在技术方案1所述的半导体制造装置的清洗装置中，上述回收口的至少开口部的周围由弹性部件形成。

技术方案5的半导体制造装置的清洗装置的特征在于，在技术方案1至4中任意一项所述的半导体制造装置的清洗装置中，上述供给管路及上述回收管路在上述供给口侧和上述回收口侧的一部分是双重管路构造。

技术方案6的半导体制造装置的清洗装置的特征在于，在技术方案1至5中任意一项所述的半导体制造装置的清洗装置中，上述供给管路的与纯水水蒸气的接触面用树脂制成。

技术方案7的半导体制造装置的清洗装置的特征在于，在技术方案1至6中任意一项所述的半导体制造装置的清洗装置中，上述供给管路的与纯水水蒸气的接触部或非接触面用导电性材料制成。

技术方案8的半导体制造装置的清洗装置的特征在于，在技术方案1至7中任意一项所述的半导体制造装置的清洗装置中，关于上述纯水水蒸气生成容器，在下半部区域配置有用于产生纯水水蒸气的加热器。

技术方案9的半导体制造装置的清洗装置的特征在于，在技术方案8所述的半导体制造装置的清洗装置中，上述纯水水蒸气生成容器被做成能够在下半部区域中贮存纯水。

技术方案10的半导体制造装置的清洗装置的特征在于，在技术方案1至9中任意一项所述的半导体制造装置的清洗装置中，上述纯水水蒸气生成容器的与纯水的接触面由树脂构成。

技术方案11的半导体制造装置的清洗方法的特征在于，具有：用纯水水蒸气生成容器将纯水生成纯水水蒸气的工序；通过供给管路将纯水水蒸气从上述纯水水蒸气生成容器供给到供给口的工序；将纯水水蒸气从上述供给口供给到被清洗部位的工序；通过设置于上述供给口的周围的回收口从被清洗部位回收在清洗中使用后的使用完毕水蒸气的工序；通过回收管路将使用完毕水蒸气从上述回收口回收到回收容器中的工序；以及用上述回收容器凝结使用完毕水蒸气的工序。

发明效果