[发明专利]半导体晶圆的保护带粘贴方法及其装置无效
申请号: | 200910161381.0 | 申请日: | 2009-08-12 |
公开(公告)号: | CN101651089A | 公开(公告)日: | 2010-02-17 |
发明(设计)人: | 奥野长平;山本雅之;宫本三郎 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 保护 粘贴 方法 及其 装置 | ||
技术领域
本发明涉及在实施了电路图案形成的处理后的半导体晶圆的表面粘贴保护带的半导体晶圆的保护带粘贴方法及其装置。
背景技术
由半导体晶圆(以下简称作“晶圆”)制造芯片零件利用以下顺序进行。在晶圆表面形成电路图案,在晶圆表面粘贴保护带。之后,对晶圆背面进行磨削加工(背面磨削)而将其薄型化。被薄型加工后的晶圆隔着切割带粘贴保持于环形架。之后,剥离晶圆表面的保护带而将其输送到切割工序。
作为在晶圆表面粘贴保护带的方法,如下地进行实施例。向表面朝上地吸附保持于保持台上的晶圆的上方供给粘合面朝下的带状的保护带,之后使粘贴辊在保护带的表面滚动,从而将保护带粘贴在晶圆表面。接着,通过使带切断机构的切刀刺入保护带并沿着晶圆外周移动,将保护带沿着晶圆外形切断。之后,将沿着晶圆外形切下的不需要的带部分卷绕、回收(例如,参照日本特开2005-116711号公报)。
但是,在以往的方法中存在如下的问题。即,如图8的(a)所示,在形成有电路图案的晶圆W的表面存在凸块等隆起部r。如图8的(b)所示地在这样的表面状态的晶圆表面粘贴保护带T时,构成保护带T的基材ta追随粘合层tb的形状。即,存在带表面与晶圆表面的隆起相对应地凹凸变形的情况。
另外,随着近年来的高密度安装而倾向于晶圆W进一步薄型化。因此,对在保护带T的表面形成有凹凸的晶圆W的背面进行磨削加工时,由该凹凸的影响而在背面侧显著地产生磨削量的不均匀。结果,存在晶圆的厚度不均匀这样的问题。
并且,在粘贴保护带时在保护带与晶圆的粘接界面中卷入气泡的情况下,存在如下的问题。受到由后工序的背面磨削而产生的摩擦等影响而晶圆被加热。由该热量的影响使气泡热膨胀。此时,在界面中热膨胀后的气泡的按压力作用于薄型化而刚性降低的晶圆侧,使晶圆破损。
发明内容
本发明的主要目的在于提供使粘贴的保护带的表面扁平化而使背面磨削后的晶圆厚度均匀的半导体晶圆的保护带粘贴方法及其装置。
本发明为了达到这样的目的而采用如下的构造。
一种半导体晶圆的保护带粘贴方法,是在形成有电路图案的半导体晶圆的表面粘贴保护带的半导体晶圆的保护带粘贴方法,其中,上述方法包括以下过程:
带粘贴过程,在一边使粘贴构件移动一边将其按压的同时、将保护带粘贴在半导体晶圆的表面;
带加压过程,利用加压构件自粘贴于半导体晶圆的保护带的表面按压。
采用本发明的半导体晶圆的保护带粘贴方法,即使在粘贴保护带时在保护带表面形成有晶圆表面的凹凸,也能够通过加压构件的加压处理使保护带的表面扁平。因而,在之后的晶圆背面磨削加工中,能够将半导体晶圆磨削为均匀的厚度。
另外,卷入到保护带与晶圆的粘接界面中的气泡利用加压构件的加压而破碎得较细,分散在粘合层内。因而,即使因后工序的背面磨削等晶圆被加热,气泡的膨胀率也较小,能够抑制晶圆的破损。
另外,带加压过程中的保护带的按压例如可以如下地实施。
利用按压面形成为扁平的板状的加压构件按压保护带的整个表面。
采用该方法,能够对保护带的整个表面加压而迅速地扁平处理。
另外,利用按压面被弹性材料覆盖的加压构件按压保护带的整个表面。
采用该方法,不对半导体晶圆赋予由按压产生的过剩的应力地对保护带的整个表面加压。因而,也减轻了因向晶圆按压而产生的应力,能够抑制晶圆的破损。
另外,借助自由支点而利用板状的加压构件按压保护带的整个表面。
采用该方法,加压构件利用自由支点而倾斜自由。即,通过按压保护带的表面和加压板,能够使加压板沿着保护带的表面姿态倾斜。因而,即使保护带的表面与加压板的加压面的平行度有些许差异,也能够使加压板在整个表面中与保护带表面相适应而均匀地加压。
另外,在上述方法中,也可以使加压构件如下地作用于保护带。
例如,使辊状的加压构件自与保护带的粘贴方向交叉的方向滚动而按压保护带。
另外,一边按压板状的加压构件的棱边(edge)一边使其滑接移动或者转动而按压保护带。并且,一边使按压面具有朝下的弯曲面的加压构件摆动一边按压保护带的整个表面。
另外,上述方法优选在带加压过程中对保护带加热。作为保护带的加热,将保持加压构件或晶圆的台加热,间接地对保护带加热即可。
采用该方法,能够使保护带的基材及粘合层适度地加热软化而使保护带表面良好地加压扁平。
另外,本发明为了达到这样的目的而采用如下的构造。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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