[发明专利]用于固定器件的方法和装置

权利要求书

1.一种装置，包括：

晶片夹，其具有延伸穿过其中的第一和第二孔；以及

压力控制结构，其能够独立地并可选择地在环境压力之上和之下的压力之间改变每个所述第一和第二孔中的流体压力。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述压力控制结构用于在所述第一孔中产生真空，同时将加压流体提供到所述第二孔。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述压力控制结构包括：

真空源，其与所述第一和第二孔通过各自的阀门流体交流；以及

压力源，其与所述第一和第二孔通过各自的阀门流体交流，

其中所述压力控制结构还包括控制器，其能够选择性地打开和关闭每个所述阀门。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述阀门包括第一、第二、第三和第四阀门，每个所述阀门具有第一端部和第二端部。

5.根据权利要求4所述的装置，还包括具有第一、第二和第三端口的第一通道，以及具有第四、第五和第六端口的第二通道，所述第一和第二端口分别连接到所述第一和第三阀门的第一端部，所述第四和第五端口分别连接到所述第二和第四阀门的第一端部，所述第三和第六端口分别连接到所述第一和第二孔；

其中所述真空源连接到所述第一和第二阀门的第二端部，所述压力源连接到所述第三和第四阀门的第二端部。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述晶片夹包括第一槽和第二槽，所述第一孔位于所述第一槽的部分上，所述第二孔位于所述第二槽的部分上，其中所述第一槽比所述第二槽更接近于所述晶片夹的中心区域。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述晶片夹包括平坦的顶和底面，使得晶片夹的厚度在大约0.1μm到大约100μm的范围中变化。

8.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供晶片夹，所述晶片夹具有延伸穿过其中的第一和第二孔；以及

独立地并选择性地在环境压力之上和之下的压力之间改变每个所述第一和第二孔中的流体压力。

9.根据权利要求8所述的方法，其中通过同时使用真空源在所述第一孔中产生真空，并且使用压力源向所述第二孔提供加压流体而实现独立地并选择性地改变流体压力，

其中通过使第一流体从所述第一孔流向所述真空源而在所述第一孔中产生真空，其中通过使第二流体从所述压力源流向所述第二孔而将加压流体提供到所述第二孔。

10.根据权利要求9所述的方法，其中独立地并选择性地改变所述流体压力包括使用控制器选择性地打开和关闭阀门；

其中打开所述阀门允许流体在连接到所述第一和第二孔之一和所述真空源和压力源之一的第一通道中流动，其中关闭所述阀门阻止流体在连接所述第一和第二孔和所述真空源和压力源之一的所述通道中流动。

11.根据权利要求8所述的方法，其中独立地并选择性地改变流体压力通过以下步骤实现：

在所述第一和第二孔中产生真空以将第一半导体晶片固定到所述晶片夹的顶侧；

提供位于所述第一晶片之上并与其对准的第二半导体晶片；将第一加压流体提供到所述第一孔以使得在所述第一孔之上的所述第一晶片的部分与所述第二晶片相接触，从而产生激活区；以及

将第二加压流体提供到所述第二孔以扩展所述激活区，

其中进行所述晶片的提供使得所述第一孔位于所述夹的中心区域中，所述第二孔位于所述夹的边缘区域中，以使得所述激活区最初围绕所述夹的中心区域形成，并在放射方向扩展。

12.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供具有顶侧和底侧的晶片夹，所述晶片夹具有延伸穿过其中的第一和第二孔；以及

独立地并选择性地调节流入或流出每个所述第一和第二孔的流体。

13.根据权利要求12所述的方法，其中独立地并选择性地调节流体流动通过以下步骤实现：

使第一和第二流体分别从所述底侧流出所述第一和第二孔，以使第一半导体晶片固定到所述晶片夹的顶侧；

提供位于所述第一晶片之上并与其对准的第二半导体晶片；

使第三流体从所述底侧流入所述第一孔以在所述第一晶片中形成向上弯曲的部分，使得所述弯曲部分的区域与所述第二晶片的区域接触；以及

使第四流体从所述底侧流入所述第二孔以在放射方向延伸所述弯曲部分。