[发明专利]用于固定器件的方法和装置

说明书

技术领域

本发明一般地涉及固定装置，更具体地涉及晶片夹和压力控制结构。

背景技术

近些年半导体集成电路(IC)工业经历了快速的发展。IC材料和设计的技术进步已产生了多代IC，其中每一代比前一代都具有更小和更复杂的电路。通常通过加工半导体晶片而制造这些IC。半导体晶片的加工可能需要用装置如晶片夹固定半导体晶片。然而，目前的晶片固定装置可能导致晶片缺陷如应力缺陷或气泡缺陷，其可能导致IC失效或不能使用。从而，虽然现有的晶片固定装置一般能够达到它们的目的，但是在每个方面还没有完全符合要求。

发明内容

本发明的一种较广的形式包括一种装置，包括：晶片夹，其具有延伸穿过其中的第一和第二孔；压力控制结构，其能够独立地并选择性地在环境压力之上和之下的压力之间改变每个第一和第二孔中的流体压力。

本发明的另一种较广的形式包括一种制造半导体器件的方法，包括：提供晶片夹，该晶片夹具有延伸穿过其中的第一和第二孔；独立地并选择性地在环境压力之上和之下的压力之间改变每个第一和第二孔中的流体压力。

本发明的又一种较广的形式包括一种制造半导体器件的方法，包括：提供具有顶侧和底侧的晶片夹，该晶片夹具有延伸穿过其中的第一和第二孔；独立地并选择性地调节流入或流出每个第一和第二孔的流体。

附图说明

本发明的方面通过以下的详细描述结合附图可以得到更好的理解。需要强调的是，根据行业内的标准实践，各个特征没有按比例绘制。实际上，为了清楚的描述，各个特征的尺寸可以任意地增加或减小。

图1为根据本发明的各个方面的用于制造半导体器件的方法的流程图；

图2为根据本发明的各个方面的器件固定装置的高层示意图；

图3-5为根据本发明的各个方面的晶片夹的各个实施例的顶层视图，该晶片夹为器件固定装置的部分；和

图6-9为根据本发明的各个方面的制造半导体器件的高层侧视图。

具体实施方式

可以理解的是，下面的说明书提供了很多不同的实施例，例如，用于实现本发明的不同特征。以下描述了元件和排列的具体例子以简化本说明书。当然，这些仅仅是例子，并不作为限制。另外，以下的描述中第一特征在第二特征之上或上面的结构可以包括第一和第二特征直接接触的实施例，也可以包括附加的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。为了简单和清楚的目的，各个特征任意地按不同的比例绘制。

图1示出了根据本发明的各个方面的用于独立和选择性的变化晶片夹中的多个孔中的每一个的流体压力的方法100的流程图。参考图1，方法11开始于块13，其中提供了晶片夹，该晶片夹具有在延伸穿过其中的第一和第二孔。方法11继续到块15，其中在第一和第二孔中产生真空以将第一半导体晶片固定到晶片夹的顶侧。方法11继续到块17，其中提供了位于第一晶片之上并与其对准的第二半导体晶片。方法11继续到块19，其中将第一加压流体提供到第一孔以使得在第一孔之上第一晶片的部分与第二晶片的部分接触，从而产生激活区。方法11继续到块21，其中将第二加压流体提供到第二孔以延伸激活区。

参考图2，示出了器件固定装置33的高层示意图。器件固定装置33包括晶片夹35，该晶片夹35包括非导电材料，如陶瓷材料。晶片夹35具有顶面(也成为顶侧)37和底面(也成为底侧)38。顶面37和底面38都是相对平坦的，这样晶片夹35的厚度40在大约0.1微米(μm)到大约100μm的范围内变化，例如，大约5μm。晶片夹35的厚度40的变化量也可以称为总厚度变量。晶片夹35也包括一个或多个孔(或开口)。为了简单和示意的目的，图2中示出了三个孔42、44和46。孔42、44、46穿过晶片夹35延伸。孔42、44和46分别具有尺寸48、50和52。在图2所示的实施例中，尺寸48、50和52在从大约0.1毫米(mm)到大约50mm的范围内，例如，大约0.5mm。可以理解的是，以上提供的值仅仅是示例性的，在不脱离本发明的精神和范围的情况下可以使用可选择的值实现图2所示的实施例。