[发明专利]薄膜晶体管显示面板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910162626.1 申请日: 2009-08-14
公开(公告)号: CN101650505A 公开(公告)日: 2010-02-17
发明(设计)人: 宋俊昊;金雄权 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G03F7/00;H01L21/84
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 张 波
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 显示 面板 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种薄膜晶体管显示面板,包括:

绝缘基板;

栅极线,设置在所述绝缘基板的第一表面上并沿第一方向延伸;

数据线,设置在所述绝缘基板的所述第一表面上,并沿基本垂直于所述 第一方向的第二方向延伸,所述数据线和所述栅极线彼此电绝缘;

公共线,设置在所述绝缘基板上并基本平行于所述栅极线延伸;

栅极绝缘膜,设置在所述栅极线和所述公共线上;

接触孔,设置为穿过所述栅极绝缘膜并暴露部分所述公共线;

多个公共电极,通过所述接触孔电连接到所述公共线,并布置为沿所述 第二方向延伸且彼此基本平行地设置;

多个像素电极,布置为基本平行于所述公共电极延伸;以及

薄膜晶体管,每个所述薄膜晶体管包括连接到所述栅极线的栅极电极、 连接到所述数据线的源极电极以及连接到所述像素电极的漏极电极,

其中所述公共电极和所述像素电极的第一厚度小于所述数据线的第二 厚度,所述第一厚度和所述第二厚度在基本垂直于所述绝缘基板的所述第一 表面的第三方向上测量,以及

其中所述漏极电极的第三厚度小于所述源极电极的第四厚度,所述第三 厚度和所述第四厚度在基本垂直于所述绝缘基板的所述第一表面的所述第 三方向上测量。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管显示面板,其中所述公共电极和所述 像素电极的每个包括单层结构;以及

所述数据线包括多层结构。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管显示面板,其中:

所述公共电极和所述像素电极包括铜;以及

所述数据线包括上层和下层,该上层包括铜和钼至少之一,该下层包括 钼、钛、铬、钨和铝的至少之一。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管显示面板,其中:

所述公共电极、所述像素电极和所述数据线的所述下层中的每个具有小 于约50纳米的厚度;以及

所述数据线的所述上层具有大于约的厚度。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管显示面板,其中:

所述源极电极包括多层结构;以及

所述漏极电极包括单层结构。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管显示面板,还包括:

连接所述像素电极和所述漏极电极的单个连接电极,所述连接电极、所 述像素电极和所述漏极电极是连续的构件;

其中所述连接电极具有第三厚度。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管显示面板,其中所述公共电极和所述 像素电极沿所述第一方向交替地布置。

8.如权利要求1所述的薄膜晶体管显示面板,还包括第一保护膜,该第 一保护膜直接设置在所述像素电极和所述公共电极上并接触所述像素电极 和所述公共电极。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管显示面板,还包括第二保护膜,该第 二保护膜直接设置在所述数据线的最上表面和所述第一保护膜的最上表面 上,并接触所述数据线的最上表面和所述第一保护膜的最上表面。

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