[发明专利]蚀刻薄膜电阻电路板制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种蚀刻薄膜电阻电路板制作方法，尤其涉及一种可以形成正确的电阻尺寸的制作方法。

背景技术

请参阅图3，为文献“薄膜嵌入式电阻(Thin Film EmbeddedResistors)”，作者为王建涛与席迪可劳斯(Jiangtao Wang and Sid Clouser)，为美国古尔德电子公司(Gould Electronics Inc，US)所记载的一种蚀刻薄膜电阻制作流程示意图。如图3A至图3G所示，先形成一有一电阻材料B及一金属层C的基板A，再于该金属层C上形成一预定形状的第一光阻D，此第一光阻D宽度W为电阻的预定宽度，再以蚀刻去除该第一光阻D涵盖范围以外的金属层C及电阻材料B，去除第一光阻D。于金属层C上形成一具有一开窗E1的第二光阻E，该开窗E1长度L为电阻的预定长度，以蚀刻去除开窗E1以下所对应范围的金属层C，以露出对应于开窗E1位置的电阻材料B，去除第二光阻E，便形成具有电阻F的电路板G。

制作过程中，当蚀刻第一光阻D所涵盖范围以外的金属层C及电阻材料B时，由于需蚀刻相堆栈的金属层及电阻材料，蚀刻厚度较厚，常造成下层的电阻材料蚀刻不尽，在电阻材料边界与基板的接触地方便产生残足问题，后续需多加一道蚀刻制作过程，方能将该残足尽力去除。

此外，请参阅图3E，由第二光阻俯视，底下金属层的宽度是介于开窗的中央，因此蚀刻金属层时，除了将对应于开窗位置的金属层蚀刻掉，蚀刻液还会渗透至金属层C与第二光阻E及电阻材料B之间的间隙，造成被蚀刻后的金属层C其开窗位置的各角落被蚀刻成圆弧状。以上两种问题，会造成不易控制成型出正确的电阻尺寸的缺点。

因此如何在进行蚀刻薄膜电阻制作流程中，避免残足问题以及避免金属层角落形成圆弧状，而得到正确的电阻尺寸，实已成为目前业界亟待克服的课题。

发明内容

有鉴于现有技术的种种缺失，本发明主要目的在于提供一种蚀刻薄膜电阻电路板制作方法，以解决现有技术中在进行蚀刻薄膜电阻制作流程中，所遇到的电阻残足问题。

为达上述目的，本发明提供一种蚀刻薄膜电阻电路板制作方法，包括下列步骤：

(1)提供一堆栈有一金属层及一电阻材料的基板；

(2)于该金属层上形成一第一预定图样的第一光阻；

(3)实行第一道蚀刻，以图样化该金属层，使电阻材料对应一第一宽度露出；

(4)移除第一光阻；

(5)形成一第二预定图样的第二光阻；

(6)实行第二道蚀刻，以图样化金属层及电阻材料，使因第一道蚀刻所露出的第一宽度电阻材料移除至第二宽度；

(7)移除第二光阻；以形成具有电阻的电路板。

本发明所述的制作方法相较于现有的制作过程，由于第一道蚀刻厚度未包含电阻层厚度，较现有技术一开始将金属层及电阻材料一同蚀刻的厚度还要薄，使得利用本发明的制作方法完成的薄膜电阻电路板上未被金属层覆盖的电阻层边缘不会发生蚀刻不尽而产生电阻材料残足的问题。

此外，在本发明的较佳实施例下，实行第一道蚀刻时，虽然蚀刻液也会渗透至金属层与第一光阻及电阻材料之间的间隙，造成被蚀刻后的金属层各角落被蚀刻成圆弧状，但由于后续的第二光阻是遮蔽在第一宽度电阻材料的中间部分，因此第二道蚀刻时，蚀刻液会沿着第二光阻的平整边界，移除金属层及电阻材料，使第一宽度电阻材料在此阶段被移除至第二宽度，即移除了各圆弧状角落，而得到具有完整边界的电阻。

附图说明

图1为本发明蚀刻薄膜电阻电路板制作过程的具体实施例说明流程图。

图2A至图2G为显示图1中各说明流程的状态图。

图3A至图3G为现有的一种蚀刻薄膜电阻制作流程示意图。

具体实施方式

以下配合说明书附图对本发明的实施方式做更详细的说明，以使本领域技术人员在研读本说明书后能据以实施。