[发明专利]大规模生产辣椒核雄性不育植株的方法无效

专利信息
申请号: 200910163215.4 申请日: 2009-12-23
公开(公告)号: CN101731146A 公开(公告)日: 2010-06-16
发明(设计)人: 文锦芬 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00;A01G31/00
代理公司: 昆明正原专利代理有限责任公司 53100 代理人: 徐玲菊
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 大规模 生产 辣椒 雄性不育 植株 方法
【权利要求书】:

1.一种大规模生产辣椒核雄性不育植株的方法,其特征在于,它包括下述步骤:

A、由辣椒核雄性不育两用系不育株带腋芽的茎段,接种在腋芽诱导培养基上,在人工控制的环境条件下,诱导腋芽的萌发生长,形成丛生苗;

B、由丛生苗分割成带腋芽的茎段,接种在腋芽诱导培养基上,在人工控制的环境条件下,诱导腋芽的萌发生长,形成次级丛生苗;

C、在相同的条件下,通过重复的继代培养扩增丛生苗;

D、分割丛生苗,接种到不定根诱导培养基上,在人工控制的环境条件下,诱导不定根的形成;

E、选取生根多且健壮的植株去掉封口膜炼苗7~10d,然后洗净根系上的培养基,移入含有珍珠岩和草炭土混合基质的营养钵并置于温室中,用塑料薄膜覆盖,5d后逐步揭去薄膜通风,增加光照,及时补足营养钵水分,15~20d后将营养钵移至露地,10~15d后将幼苗移到大田中。

2.根据权利1所述的方法,其特征在于,所说A、B、C步骤中的腋芽萌发生长至具有4个以上节的丛生苗,将具有4个以上节的丛生苗切割成具有单个节的4段茎段,将各个茎段再移入腋芽诱导培养基,并在该培养基上进行腋芽诱导培养,通过重复的茎段切割诱导培养来扩增丛生苗,将形成的丛生苗切割成单株,移入不定根诱导培养基中,并在此培养基上进行不定根的诱导,形成完整的再生植株。

3.根据权利要求1至3所述的方法,其特征在于,所说的腋芽诱导培养基为:MS基础培养基,并在该培养基中添加质量比为3%的蔗糖、0.6%的琼脂,0.5~2.0%的苄基腺嘌呤,和0.01~0.1%的a-萘乙酸,控制培养基pH5.8,在121℃下灭菌20min。

4.根据权利要求1至2所述的方法,其特征在于,所说的丛生芽不定根诱导培养基为:1/2MS基础培养基,其中亚铁盐的含量与MS培养基相同,在1/2MS基础培养基中还含有质量比为3%的蔗糖,0.6%的琼脂,0.02~0.1%的a-萘乙酸,和0.02~0.1%的吲哚丁酸,控制培养基pH 5.8,于121℃下灭菌20min。

5.根据权利1所述的方法,其特征在于所述的E步骤的混合基质中珍珠岩与草炭土的体积比为1∶1~2∶1。

6.根据权利要求1至2所述的方法,其特征在于,所说的人工控制的环境条件为:每天连续光照12~14h,温度24~26℃,光照强度40~50umol.m-2.s-1

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