[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在p型半导体区域的表面上形成的栅极绝缘膜；

设置在所述栅极绝缘膜上的栅电极；

设置在所述p型半导体区域的表面的部分上的LOCOS氧化物膜， 所述部分位于所述栅电极的两端；

设置在所述LOCOS氧化物膜中的一个LOCOS氧化物膜下面的p 型沟道阻止扩散层；

设置成与所述p型沟道阻止扩散层接触的第一n型高浓度扩散 层；

设置成与所述p型沟道阻止扩散层和所述第一n型高浓度扩散层 接触的p型高浓度扩散层；

设置在所述LOCOS氧化物膜中的另一个LOCOS氧化物膜下面 的n型沟道阻止扩散层；以及

设置成与所述n型沟道阻止扩散层接触的第二n型高浓度扩散 层。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一n型高浓度 扩散层与所述p型沟道阻止扩散层仅在所述第一n型高浓度扩散层的 一侧接触，并且所述第一n型高浓度扩散层与所述p型高浓度扩散层 在所述第一n型高浓度扩散层的另一侧接触，所述另一侧不与所述p 型沟道阻止扩散层接触。

3.如权利要求1所述的半导体器件，还包括设置在与所述n型 沟道阻止扩散层相邻的所述第二n型高浓度扩散层周围的n型阱扩散 层。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述p型高浓度扩散 层、所述第一n型高浓度扩散层和所述栅电极互相电连接。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中：

所述p型高浓度扩散层、所述第一n型高浓度扩散层和所述栅电 极连接到电势Vss；并且

所述第二n型高浓度扩散层连接到电源端子Vdd。

6.如权利要求4所述的半导体器件，其中：

所述p型高浓度扩散层、所述第一n型高浓度扩散层和所述栅电 极连接到电势Vss；并且

所述第二n型高浓度扩散层连接到输入/输出端子。

7.如权利要求4所述的半导体器件，其中：

所述p型高浓度扩散层、所述第一n型高浓度扩散层和所述栅电 极连接到输入/输出端子；并且

所述第二n型高浓度扩散层连接到电源端子Vdd。

8.一种半导体器件，其包括：

设置在p型半导体区域的表面上的栅极绝缘膜；

设置在所述栅极绝缘膜上的栅电极；

设置在所述p型半导体区域的表面的部分上的LOCOS氧化物膜， 所述部分位于所述栅电极的两端；

设置在所述LOCOS氧化物膜中的一个LOCOS氧化物膜下面的p 型沟道阻止扩散层；

设置成以致与所述p型沟道阻止扩散层接触的p型高浓度扩散 层；

设置成以致被所述p型高浓度扩散层以平面方式包围的第一n型 高浓度扩散层；

设置在所述LOCOS氧化物膜中的另一个LOCOS氧化物膜下面 的n型沟道阻止扩散层；以及

设置成以致与所述n型沟道阻止扩散层相邻的第二n型高浓度扩 散层。

9.如权利要求8所述的半导体器件，还包括设置在与所述n型 沟道阻止扩散层相邻的所述第二n型高浓度扩散层周围的n型阱扩散 层。

10.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述p型高浓度扩散 层、所述第一n型高浓度扩散层和所述栅电极互相电连接。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其中：

所述p型高浓度扩散层、所述第一n型高浓度扩散层和所述栅电 极连接到电势Vss；并且

所述第二n型高浓度扩散层连接到电源端子Vdd。

12.如权利要求10所述的半导体器件，其中：

所述p型高浓度扩散层、所述第一n型高浓度扩散层和所述栅电 极连接到电势Vss；并且

所述第二n型高浓度扩散层连接到输入/输出端子。

13.如权利要求10所述的半导体器件，其中：

所述p型高浓度扩散层、所述第一n型高浓度扩散层和所述栅电 极连接到输入/输出端子；并且

所述第二n型高浓度扩散层连接到电源端子Vdd。