[发明专利]半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制造方法，包含：

提供一基材，其上设置有一虚置栅极结构；

形成一硬掩模层于该虚置栅极结构上；

沉积一介电层；

平坦化该介电层并使用该硬掩模层作为一停止层；及

移除该硬掩模层。

2.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，还包含：

移除该虚置栅极以形成一沟槽；及

在该沟槽中形成一金属栅极电极。

3.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中该硬掩模层的形成包含形成一氮化硅层。

4.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，还包含：

在该硬掩模层上形成一氧化物掩模层。

5.如权利要求4所述的半导体元件的制造方法，还包含：

在该基材上形成一应变区接着移除该氧化物掩模层。

6.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中该硬掩模层的移除包含在平坦化该介电层时进行一过研磨步骤。

7.一种半导体元件的制造方法，包含：

提供一基材，其上设置有一虚置栅极结构；

形成一第一及一第二硬掩模层于该虚置栅极结构上；

形成一应变区于该虚置栅极结构旁；

在形成该应变区后移除该第二掩模层；

在移除该第二掩模层后，于该应变区中形成一源极及一漏极区；

沉积一介电层；及

使用该第一硬掩模层作为一停止层来移除至少一部分该介电层。

8.如权利要求7所述的半导体元件的制造方法，还包含继续该移除步骤超过该停止层以移除该第一掩模层。

9.如权利要求7所述的半导体元件的制造方法，其中该应变区的形成包含外延成长一锗化硅区。

10.如权利要求7所述的半导体元件的制造方法，还包含：

移除该虚置栅极结构及形成一金属栅极。

11.一种半导体元件的制造方法，包括：

形成一牺牲多晶硅栅极于一基材上，其中在该基材上形成该牺牲多晶硅栅极包含使用一第一及一第二硬掩模层至少其一来图案化该牺牲多晶硅层；

形成一源极及一漏极区于该牺牲多晶硅栅极旁；

形成一接触点于该源极及该漏极区上，其中该接触点的形成包含使用该第一及该第二硬掩模层至少其一来防止硅化物形成在该牺牲多晶硅栅极上。

12.如权利要求11所述的半导体元件的制造方法，还包含：

沉积一介电层于该牺牲多晶硅栅极上；及

使用该第一及该第二硬掩模层至少其一作为一停止层来移除至少一部分该介电层。

13.如权利要求11所述的半导体元件的制造方法，其中该第一硬掩模层包含氮化硅。

14.如权利要求11所述的半导体元件的制造方法，其中该第二硬掩模层包含一氧化物。

15.如权利要求11所述的半导体元件的制造方法，还包含：

继续移除该介电层并超过该停止层以移除该第一及该第二硬掩模层至少其一。