[发明专利]半导体器件及其设计方法无效
申请号: | 200910164690.3 | 申请日: | 2009-07-29 |
公开(公告)号: | CN101640194A | 公开(公告)日: | 2010-02-03 |
发明(设计)人: | 挂川千贺 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L23/13;H01L21/50 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙志湧;穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 设计 方法 | ||
1.一种半导体器件,包括:
具有矩形平面几何形状的内插板,所述矩形平面几何形状具有长度为X的第一边以及与所述第一边正交的长度为Y的第二边;
设置在所述内插板之上的半导体芯片;以及
与所述半导体芯片并排地设置在所述内插板之上的虚拟元件,
其中,第一外围区域围绕位于所述内插板之上的所述半导体芯片,
并且具有与所述第一边平行的且长度为“a”的第三边以及与所述第三边正交的且长度为“b”的第四边,所述第一外围区域的中心与所述内插板的中心不重合,或不满足等式X∶Y=a∶b;以及
第二外围区域围绕所述第一外围区域和在所述内插板之上设置的所述虚拟元件,并且具有与所述第一边平行的且长度为“x”的第五边以及与所述第五边正交的且长度为“y”的第六边,所述第二外围区域的中心与所述内插板的中心重合,并且满足等式X∶Y=x∶y,
其中,
所述虚拟元件被设置为以使得,在平面图中,内部设置有所述虚拟元件和所述半导体芯片的区域关于所述内插板的第一中心线和与所述第一中心线正交的第二中心线这两者均对称。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,
在所述内插板之上设置有多个所述半导体芯片,并且
所述第一外围区域围绕所述多个半导体芯片。
3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,
所述虚拟元件是无源元件,虚拟半导体芯片,或由硅、陶瓷或金属材料组成的元件中的任何一种。
4.根据权利要求1所述的半导体器件,进一步包括散热板,所述散热板提供在所述内插板之上,并且在与所述半导体芯片和所述虚拟元件中的至少任何一个相结合的同时被提供在所述半导体芯片和所述虚拟元件的至少任何一个之上。
5.根据权利要求1所述的半导体器件,进一步包括散热板,
所述散热板提供在所述内插板之上,并且
所述散热板通过与所述虚拟元件相同的材料来构造并且与所述虚拟元件一体化地形成。
6.一种设计半导体器件的方法,所述半导体器件具有内插板和设置在所述内插板之上的半导体芯片,所述内插板具有矩形平面几何形状,所述矩形平面几何形状具有长度为X的第一边和与所述第一边正交的且长度为Y的第二边,所述方法包括:
获取表示所述内插板和所述半导体芯片的各自的平面几何形状以及所述内插板和所述半导体芯片之间的位置关系的布局信息;
第一外围区域围绕所述内插板之上的所述半导体芯片、并且具有与所述第一边平行的长度为“a”的第三边以及与所述第三边正交的且长度为“b”的第四边,如果所述第一外围区域的中心与所述内插板的中心不重合、或不满足等式X∶Y=a∶b,则基于所述布局信息来确定第二外围区域,所述第二外围区域具有与内插板的中心重合的中心,在平面图中包括所述第一外围区域,并且具有与所述第一边平行的且长度为“x”的第五边以及与所述第五边正交的且长度为“y”的第六边,并且在平面图中满足等式X∶Y=x∶y;以及
进行设定以使得,在所述第二外围区域中,与设置有所述半导体的区域并排地来设置虚拟元件,
其中,在用于设置所述虚拟元件所进行的所述设定中,进行用于对所述虚拟元件进行设置的该设定以使得,在平面图中,内部设置有所述虚拟元件和所述半导体芯片的区域关于所述内插板的第一中心线和与所述第一中心线正交的第二中心线这两者均对称。
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