[发明专利]半导体存储装置无效
| 申请号： | 200910164907.0 | 申请日： | 2009-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN101640070A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 河野和幸;春山星秀;中山雅义;持田礼司 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
1、一种半导体存储装置，其特征在于，具备：
存储单元；
第1和第2位线，其分别与所述存储单元的源极和漏极直接或通过选择晶体管间接连接；
电压施加电路，其输出用于施加给所述存储单元的接地电压和规定的正电压；
列选择电路，其控制是否向所述第1和第2位线施加从所述电压施加电路输出的接地电压和规定的正电压；
第1和第2放电晶体管，其分别设置在所述第1和第2位线与接地端之间，且栅极接收相互独立的放电控制信号；和
放电控制电路，其生成并输出所述放电控制信号。
2、根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：
所述列选择电路向所述第1位线施加接地电压，向所述第2位线施加规定的正电压，
所述放电控制电路生成并输出所述放电控制信号，使所述第1放电晶体管处于激活状态，并且使所述第2放电晶体管处于非激活状态。
3、根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：
所述列选择电路不向所述第1位线施加电压，而向所述第2位线施加规定的正电压，
所述放电控制电路生成并输出所述放电控制信号，使所述第1放电晶体管处于激活状态，并且使所述第2放电晶体管处于非激活状态。
4、根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：
所述放电控制电路在程序操作终止后，使所述第1和第2放电晶体管均处于激活状态。
5、根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：
所述放电控制电路在读取操作终止后，使所述第1和第2放电晶体管均处于激活状态。
6、根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：
所述第1和第2位线为主位线，所述第1和第2位线分别经由选择晶体管而与副位线连接，所述副位线与所述存储单元的源极和漏极连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910164907.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
