[发明专利]成膜装置及使用该成膜装置的成膜方法

说明书

技术领域

本发明涉及成膜装置以及使用该成膜装置的成膜方法。 背景技术

通常，在制造有机电致发光(EL)器件的方法中，布置 用于成膜的掩模以使其与玻璃基板紧密接触的掩模成膜方法经常被 使用。作为这种掩模成膜方法的实例，有一种掩模汽相沉积法。根据 该汽相沉积法，可以形成具有良好精度的有机EL层的图案。近年来， 随着有机EL面板分辨率的增加，图案化变得越来越精细。因此，即 使形成于玻璃基板上的像素图案与掩模之间在平面方向(plane direction)上轻微的不对准或者玻璃基板与用于汽相沉积的掩模之间 的粘附力不足也会不利地降低质量。

特别地，已经了解玻璃基板与掩模之间的粘附力不足也 是由掩模轻微的变形或者掩模本身在其自身重力作用下的下垂(sag) 所引起。因此，磁性掩模或金属掩模被用作汽相沉积的掩模以用磁体 来从玻璃基板的背面吸引掩模。通过这种方式，可以使基板和掩模达 到相互紧密接触。但是，当使用强磁体时，掩模和基板会相互粘住。 结果，在某些情况下，掩模和玻璃基板不可以容易地相互分离开。另 一方面，当磁力小时，存在可能会在掩模和基板之间产生间隙以导致 汽相沉积膜流入该间隙之忧。作为针对这种情况的措施，下面的汽相 沉积法在日本专利申请特开No.2005-158571中被提出。根据该汽相 沉积法，在基板和掩模之间对准以后，将基板动态压向掩模以使基板 和掩模相互紧密接触。

但是，在日本专利申请特开No.2005-158571所描述的方 法中，当动态地将基板压向掩模时，以严格的方式控制在垂直于基板 的方向上压基板是困难的。即使挤压方向相对垂直方向只有轻微的偏 移，也存在平面方向上的力可能被施加到基板上而导致基板和掩模之 间在平面方向上的不对准之忧。结果，在形成于基板上的像素图案和 掩模图案之间不利地产生了平面方向上的不对准。 发明内容

考虑到上述问题，本发明的目的是提供能够形成这样的 像素图案的成膜装置以及提供使用该成膜装置的成膜方法，即该像素 图案具有良好的尺寸精度以及当将基板压向掩模时在基板和掩模之 间具有平面方向上的减小的不对准。

根据本发明的成膜装置包括：用于使基板和掩模相互对 准的对准机构；用于将与掩模对准的基板压向掩模的挤压机构；以及 汽相沉积源，对准机构、挤压机构以及汽相沉积源被设置于成膜室中， 其中挤压机构包括含有和在与掩模相对的一侧上的基板表面达到接 触的接触部件的挤压体，以及其中接触部件和基板之间的摩擦系数小 于基板和掩模之间的摩擦系数。

根据本发明的成膜装置以及使用该成膜装置的成膜方 法，在将基板压向掩模以提高掩模和基板之间的粘附力的步骤中，基 板和掩模之间在平面方向上的不对准可以得到抑制。结果，可以形成 具有在平面方向上减小的不对准以及良好的尺寸精度的布置于基板 上的像素图案。

本发明更多的特征经从下参照附图对示例性实施例的描 述中变得明了。 附图说明

图1A和1B例示根据本发明的实施例的汽相沉积装置， 其中图1A是例示使基板和掩模相互对准的步骤的示意图，图1B是使 基板和掩模达到相互紧密接触的挤压步骤的示意图。

图2是例示根据本发明的实施例的挤压体的实例的示意 前视图。

图3是例示根据本发明的实施例的挤压体的另一个实例 的示意前视图。

图4是例示根据本发明的实施例的挤压体的另一个实例 的示意前视图。 具体实施方式

参照附图描述用于实现本发明的实施例。

图1A和1B例示根据本发明的实施例的成膜装置。图1A 是例示使基板和掩模相互对准的步骤的示意图，而图1B是例示使基 板和掩模达到相互紧密接触的挤压步骤的示意图。

如图1A所示的，作为成膜装置的汽相沉积装置包括用于 使基板1和掩模2相互对准的对准机构(没有示出)、用于将基板1 压向掩模2的挤压机构、以及汽相沉积源4。对准机构、挤压机构、 以及汽相沉积源4被设置于真空室5中，该真空室5是成膜室。给基 板1和掩模2中的每一个都设置了用于对准的对准标记。在基板1与 挤压机构的挤压体3相互分离的状态下，基板1和掩模2之间的对准 通过调整分别形成于基板1及掩模2上的对准标记之间的位置关系来 执行。