[发明专利]电容基板结构

权利要求书

1.一种电容基板结构，包括：

绝缘层，该绝缘层夹设于二个导体层之间；

其中该绝缘层包括：

第一介电层及第二介电层；

该第二介电层的介电常数大于该第一介电层的介电常数；以及

该第二介电层包括高介电陶瓷粉体和导电粉体均匀分散于有机树脂中的混合物。

2.如权利要求1所述的电容基板结构，其中该有机树脂包括热固性树脂或热塑性树脂。

3.如权利要求1所述的电容基板结构，其中该高介电陶瓷粉体的粒径介于30nm至2μm之间，且占该第二介电层总重的5％至95％。

4.如权利要求1所述的电容基板结构，其中该高介电陶瓷粉体包括BaTiO₃、BaSrTiO₃、SrTiO₃、NPO、或它们的组合。

5.如权利要求1所述的电容基板结构，其中该高介电陶瓷粉体掺杂有金属离子，该金属离子包括钙离子、镁离子、锆离子、或铋离子。

6.如权利要求1所述的电容基板结构，其中该导电粉体的粒径介于10nm至2μm之间，且占该第二介电层总重的0.01％至20％。

7.如权利要求1所述的电容基板结构，其中该导电粉体包括导电炭黑、金属、金属氧化物、或它们的组合。

8.如权利要求7所述的电容基板结构，其中该导电炭黑包括高结构炭黑、低结构炭黑、表面具有羧基或表面具有羟基的炭黑或它们的组合。

9.如权利要求7所述的电容基板结构，其中该金属包括Ni、Al、Ag、Cu、上述金属的合金、或它们的组合。

10.如权利要求7所述的电容基板结构，其中该金属氧化物包括Al₂O₃、ZnO、Zn(Al)O、SnO₂、In₂O₃、或它们的组合。

11.如权利要求1所述的电容基板结构，其中该第一介电层包括有机树脂。

12.如权利要求1所述的电容基板结构，其中该第一介电层为高介电陶瓷粉体均匀混掺于有机树脂中。

13.如权利要求1所述的电容基板结构，其中该绝缘层还包括第三介电层，该第三介电层包括有机树脂，该第二介电层夹设于该第一介电层与该第三介电层之间，且该第二介电层的介电常数大于该第三介电层的介电常数。

14.如权利要求1所述的电容基板结构，其中该绝缘层还包括第三介电层，该第三介电层是高介电陶瓷粉体均匀混掺于有机树脂中，该第二介电层夹设于该第一介电层与该第三介电层之间，且该第二介电层的介电常数大于该第三介电层的介电常数。

15.如权利要求1所述的电容基板结构，还包括穿过部份或全部电容基板结构的穿孔结构，该穿孔结构包括：

内环，其为导体材料；以及

外环，其为介电材料；

其中该介电材料包括有机树脂，或高介电陶瓷粉体均匀混掺于有机树脂中。

16.如权利要求15所述的电容基板结构，其中该穿孔结构还包括位于该内环中的气隙。