[发明专利]半导体器件导线的绝缘方法

权利要求书

1.一种用以使半导体器件的导线绝缘的方法，所述方法包括：

在半导体衬底的单元区域上形成第一位线堆叠结构和在所述半导体衬底的周边区域上形成第二位线堆叠结构；

形成旋涂式电介质SOD层，以填充在所述第一与第二位线堆叠结构之间；

回蚀刻所述SOD层，以暴露所述第一及第二位线堆叠结构的上侧部；

选择性地移除所述SOD层的在所述周边区域上存在的部分；和

沉积高密度等离子体(HDP)绝缘层，以覆盖所述SOD层的在所述单元区域上存在的部分并填充在所述周边区域上存在的所述第二位线堆叠结构之间。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一及第二位线堆叠结构的形成包括：

在所述半导体衬底上形成下绝缘层；

在所述下绝缘层上依次沉积位线导电层和覆盖层；

图案化所述位线导电层及所述覆盖层，以形成所述第一及第二位线堆叠结构；

形成间隔层，以覆盖所述第一及第二位线堆叠结构；

形成第一掩模，所述第一掩模选择性地暴露出所述间隔层的位于所述单元区域上的部分；和

蚀刻所述间隔层的所述暴露部分以留下所述间隔层的在所述周边区域上存在的其它部分作为蚀刻停止层，并选择性地将间隔物附着至所述第一位线堆叠结构的侧壁。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括在所述位线导电层与所述下绝缘层之间形成阻挡金属层。

4.根据权利要求2所述的方法，其中选择性移除所述SOD层的所述部分包括：

形成第二掩模，所述第二掩模暴露出所述SOD层的在所述周边区域上存在的部分；和

蚀刻所述SOD层的由所述第二掩模暴露的部分，以暴露出所述蚀刻停止层。 

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述SOD层的形成包括：

涂敷聚硅氮烷，以覆盖所述位线堆叠结构；

在氢气及氧气气氛中固化所述涂敷的聚硅氮烷层；和

实施化学机械抛光(CMP)，以平坦化所述固化的聚硅氮烷层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述SOD层的回蚀刻包括以稀氢氟酸(HF)湿蚀刻所述SOD层。

7.一种用以使半导体器件的导线绝缘的方法，所述方法包括：

在半导体衬底的单元区域上形成第一位线堆叠结构和在所述半导体衬底的周边区域上形成第二位线堆叠结构；

形成间隔层，以覆盖所述第一及第二位线堆叠结构；

形成第一掩模，所述第一掩模选择性地暴露出所述间隔层的位于所述单元区域上的部分；

蚀刻所述间隔层的所述暴露部分以留下所述间隔层的在所述周边区域上存在的其它部分作为蚀刻停止层，并选择性地将间隔物附着至所述第一位线堆叠结构的侧壁；

形成可流动绝缘材料的第一绝缘层，所述第一绝缘层填充于所述第一与第二位线堆叠结构之间；

回蚀刻所述第一绝缘层，以暴露出所述第一及第二位线堆叠结构的上侧部；

选择性地移除所述第一绝缘层的在所述周边区域上存在的部分；和

形成比所述第一绝缘层更致密的第二绝缘层，以覆盖所述第一绝缘层的在所述单元区域上存在的部分并填充在所述周边区域上存在的所述第二位线堆叠结构。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一绝缘层包括聚硅氮烷层，所述第二绝缘层包括HDP绝缘层。