[发明专利]封装基板的电性连接结构及封装结构

权利要求书

1.一种封装基板的电性连接结构，在该封装基板上设有多个第一电性接触垫，在该第一电性接触垫上设有该电性连接结构，通过该电性连接结构以电性连接至印刷电路板或封装结构，其特征在于，该电性连接结构包括：

多个金属缓冲层，对应设在各该第一电性接触垫上，且形成该金属缓冲层的材料为焊锡材料；以及

多个凸柱，对应设在各该金属缓冲层上，且该凸柱的熔点高于该金属缓冲层。

2.根据权利要求1所述的封装基板的电性连接结构，其特征在于，形成该焊锡材料的材料为锡(Sn)、银(Ag)、铜(Cu)、锌(Zn)、或铟(In)。

3.根据权利要求1所述的封装基板的电性连接结构，其特征在于，形成该凸柱的材料为铝(Al)、铜(Cu)、或镍(Ni)。

4.根据权利要求1所述的封装基板的电性连接结构，其特征在于，还包括阻障层，该阻障层形成在该金属缓冲层与第一电性接触垫之间。

5.根据权利要求4所述的封装基板的电性连接结构，其特征在于，形成该阻障层的材料为镍(Ni)。

6.根据权利要求1或4所述的封装基板的电性连接结构，其特征在于，还包括焊锡材料，该焊锡材料形成在该凸柱上。

7.根据权利要求1或4所述的封装基板的电性连接结构，其特征在于，还包括表面处理层，该表面处理层形成在该凸柱的外露表面上。

8.根据权利要求7所述的封装基板的电性连接结构，其特征在于，形成该表面处理层的材料为电镀镍/金、化学镀镍/金、化镍浸金(ENIG)、化镍钯浸金(ENEPIG)、化学镀锡(Immersion Tin)、化学镀银或电镀锡。

9.根据权利要求7所述的封装基板的电性连接结构，其特征在于，还包括绝缘保护层，该绝缘保护层形成在该封装基板上，并露出所述凸柱，且该表面处理层形成在该凸柱的外露表面上。

10.根据权利要求1或4所述的封装基板的电性连接结构，其特征在于，还包括绝缘保护层，该绝缘保护层形成在该封装基板上及所述凸柱侧面，并露出所述凸柱的顶面。

11.根据权利要求10所述的封装基板的电性连接结构，其特征在于，还包括焊锡材料，该焊锡材料形成在该凸柱的顶面。

12.一种封装结构，包括：

封装基板，具有第一表面及第二表面，在该第一表面上设有多个第一电性接触垫，在该第二表面上设有多个第二电性接触垫；

半导体晶片，电性连接所述第二电性接触垫；

多个金属缓冲层，对应设在各该第一电性接触垫上，且形成该金属缓冲层的材料为焊锡材料；以及

多个凸柱，对应设在各该金属缓冲层上，且该凸柱的熔点高于该金属缓冲层。

13.根据权利要求12所述的封装结构，其特征在于，该半导体晶片以打线结构或覆晶结构电性连接所述第二电性接触垫。

14.根据权利要求12所述的封装结构，其特征在于，形成该焊锡材料的材料为锡(Sn)、银(Ag)、铜(Cu)、锌(Zn)、或铟(In)。

15.根据权利要求12所述的封装结构，其特征在于，形成该凸柱的材料为铝(Al)、铜(Cu)、或镍(Ni)。

16.根据权利要求12所述的封装结构，其特征在于，还包括阻障层，该阻障层形成在该金属缓冲层与第一电性接触垫之间。

17.根据权利要求16所述的封装结构，其特征在于，形成该阻障层的材料为镍(Ni)。

18.根据权利要求12或16所述的封装结构，其特征在于，还包括焊锡材料，该焊锡材料形成在该凸柱上。

19.根据权利要求12或16所述的封装结构，其特征在于，还包括表面处理层，该表面处理层形成在该凸柱的外露表面上。

20.根据权利要求19所述的封装结构，其特征在于，形成该表面处理层的材料为电镀镍/金、化学镀镍/金、化镍浸金(ENIG)、化镍钯浸金(ENEPIG)、化学镀锡(Immersion Tin)、化学镀银或电镀锡。