[发明专利]封装基板的电性连接结构及封装结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体结构，尤指一种封装基板的电性连接结构及封装结构。

背景技术

随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐迈入多功能、高性能的研发方向。目前用以承载半导体晶片的封装基板包括有打线式封装基板、晶片尺寸封装(CSP)基板及覆晶基板(FCBGA)等；且为因应微处理器、晶片组、与绘图晶片的运算需要，布有线路的封装基板也需提升其传递晶片信号的品质、改善频宽、控制阻抗等功能，以适应高I/O数封装件的发展。

在现行封装技术中，是将半导体晶片电性接置在封装基板上，该半导体集成电路(IC)晶片的表面上配置有电极垫(electronic pad)，而该封装基板具有相对应的电性接触垫，且在该半导体晶片以及封装基板之间可以适当地设置导电凸块、其他导电粘着材料，使该半导体晶片电性连接至该封装基板上。

请参阅图1A，为现有覆晶封装结构的剖视示意图；如图所示，提供封装基板10，该封装基板10具有第一表面10a及第二表面10b，在该第一表面10a上设有多个第一电性接触垫101，而在该第二表面10b上设有多个第二电性接触垫102，在该第二表面10b上接置有半导体晶片11，在所述第二电性接触垫102上分别形成焊锡凸块12，而该半导体晶片11的一个表面具有多个相对各该焊锡凸块12的电极垫110，且在各该电极垫110上形成导电凸块13，令该半导体晶片11的导电凸块13电性连接至该封装基板10的焊锡凸块12，且在该半导体晶片11与封装基板10之间填入有底充材料14，从而以形成封装结构1；且在该第一表面10a的所述第一电性接触垫101上分别形成有锡球15，从而用以电性连接至印刷电路板(PCB)2，而该印刷电路板2的一个表面具有多个对应各该第一电性接触垫101的第三电性接触垫21，令所述锡球15对应电性连接至各该第三电性接触垫21，从而将该封装结构1电性连接至该印刷电路板2上。

但是，所述的封装结构1的锡球15形成在高密度布线且细间距布局的第一电性接触垫101上，将导致所述锡球15之间的间距过小，且当所述锡球15对应该印刷电路板2的第三电性接触垫21并经回焊处理以形成电性连接后，容易造成所述锡球15之间形成桥接而导致短路。

为避免所述问题发生，业界遂提出一种封装基板结构，请参阅图1B，为现有封装结构1的所述第一电性接触垫101上各设有对应的凸柱16，并在该凸柱16上形成有焊锡材料17，令所述焊锡材料17对应电性连接至各该第三电性接触垫21，从而将该封装结构1电性连接至该印刷电路板2上。

然而，所述的两种现有技术中，所述锡球15或具有焊锡材料17的凸柱16对应接置在各该封装结构1的第一电性接触垫101上，当所述锡球15或具有焊锡材料17的凸柱16对应接置在该印刷电路板2时，由于印刷电路板2上的第三电性接触垫21布设紧密，且形成在该第三电性接触垫21上的防焊层开孔窄小，造成大量该锡球15或具有焊锡材料17的凸柱16的中心并无法完全对应接置在该印刷电路板2的第三电性接触垫21中心部位，而有些许偏移的情况，如此经回焊处理而达成电性连接后，所述锡球15或具有焊锡材料17的凸柱16因并未完全精确接置在第三电性接触垫21中心部位，导致所述锡球15与第三电性接触垫21之间，或具有焊锡材料17的凸柱16与第三电性接触垫21之间会产生应力，进而可能会造成该锡球15与第一电性接触垫101之间、或该具有焊锡材料17的凸柱16与第一电性接触垫101之间、或该锡球15与第三电性接触垫21之间、或该焊锡材料17与第三电性接触垫21之间的界面容易产生断裂剥离的情况，因而影响电性连接。

因此，如何提供一种封装基板及封装结构，以避免现有技术中，在高密度布线的细间距布局中，因锡球间距过小容易造成锡球之间形成桥接而导致短路、及该锡球或金属凸柱因未能完全精确接置在第三电性接触垫中心部位所产生的应力，而导致该锡球或金属凸柱与电性接触垫之间产生断裂剥离的缺点，实已成为目前亟待克服的课题。

发明内容

鉴于所述现有技术的缺点，本发明的主要目的是提供一种封装基板的电性连接结构及封装结构，能避免回焊处理中，所述电性连接结构之间产生偏位应力，以及避免因锡球间距过小、锡球过大造成回焊处理后，锡球间桥接短路的问题。