[发明专利]存储装置以及其制造方法

权利要求书

1.一种存储装置，包括：

绝缘表面上的栅电极；

栅电极上的栅绝缘膜；

栅绝缘膜上的半导体膜，其中所述半导体膜包括杂质区；

所述半导体膜上的导电膜，有杂质区介于其间，其中所述导电膜具 有源极或漏极功能；

所述导电膜上的层间绝缘膜；其中所述层间绝缘膜在导电膜上被提 供有开口部分；

层间绝缘膜上的底部电极，其中所述底部电极在开口部分与漏极电 连接；

形成在底部电极和层间绝缘膜上的绝缘物；和

形成在所述绝缘物上的上部电极，

其中部分绝缘物位于所述底部电极侧面与所述上部电极侧面之间，

其中所述绝缘物依光学作用或热作用而改变其性质，且可以使所述 底部电极和所述上部电极彼此短路。

2.根据权利要求1的存储装置，其中所述绝缘物含有选自氧化硅、 氮化硅和氧氮化硅的材料。

3.根据权利要求1的存储装置，其中所述绝缘物包括选自4，4’-二 [N-(1-萘基)-N-苯基氨基]-联苯、4，4’-二[N-(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基]- 联苯、4，4’，4”-三(N，N-二苯基氨基)-三苯胺、4，4’，4”-三[N-(3-甲基苯 基)-N-苯基氨基]-三苯胺、4，4’-二[N-{4-(N，N-二-m-甲苯基氨基)苯基}-N- 苯基氨基]联苯、聚乙烯基咔唑、酞花青染料、铜酞花青染料以及酞菁氧 钒中的材料。

4.根据权利要求1的存储装置，其中所述半导体膜具有晶体结构。

5.根据权利要求1的存储装置，其进一步包括

在上部电极上的含氮的钝化绝缘膜。

6.一种存储装置的制造方法，包括以下步骤：

在绝缘表面上形成栅电极；

在栅电极上形成栅绝缘膜；

在栅绝缘膜上形成半导体膜；

在所述半导体膜上形成掺杂质的半导体膜；

在所述掺杂质的半导体膜上形成导电膜，其中所述导电膜具有源极 或漏极功能；

在导电膜上形成层间绝缘膜；

在导电膜处层间绝缘膜中形成开口；

在层间绝缘膜上形成底部电极，其中部分底部电极形成于所述层间 绝缘膜开口的侧面上；其中所述底部电极在开口处与导电膜连接；

在底部电极上形成绝缘物，其中部分绝缘物形成于所述底部电极的 侧面上；和

在绝缘物上形成上部电极，其中部分上部电极形成于所述绝缘物的 侧面上，

其中所述绝缘物依光学作用或热作用而改变其性质，且可以使所述 底部电极和所述上部电极彼此短路。

7.根据权利要求6的存储装置的制造方法，其中所述半导体膜具 有晶体结构。

8.根据权利要求6的存储装置的制造方法，其中所述绝缘物含有 选自氧化硅、氮化硅或氧氮化硅的材料。

9.根据权利要求6的存储装置的制造方法，其中所述绝缘物包括 选自4，4’-二[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]-联苯、4，4’-二[N-(3-甲基苯基)-N- 苯基氨基]-联苯、4，4’，4”-三(N，N-二苯基氨基)-三苯胺、4，4’，4”-三[N-(3- 甲基苯基)-N-苯基氨基]-三苯胺、4，4’-二[N-{4-(N，N-二-m-甲苯基氨基) 苯基}-N-苯基氨基]联苯、聚乙烯基咔唑、酞花青染料、铜酞花青染料或 者酞菁氧钒中的材料。

10.根据权利要求6的存储装置的制造方法，进一步包括：

在上部电极上形成含氮的钝化膜。