[发明专利]存储装置以及其制造方法

说明书

本申请是申请日为2006年1月26日，申请号为200610006976.5， 发明名称为“存储装置以及其制造方法”的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及具有有机化合物的存储元件、具有该存储元件的存储 装置以及其制造方法。

背景技术

目前，作为认识、鉴别事物和人的技术，正在对RFID(射频识 别系统)进行研究开发。这种RFID被利用于防止伪造有价证券和个 人识别，其用途被认为非常广泛。

现有的RFID采用由硅片形成的IC(集成电路)芯片，以形成诸 如ROM和RAM之类的存储电路以及CPU等控制电路(参照专利文 献1)。

(专利文献1)日本专利特开No.2000-20665(图2)

像这样，在RFID中的由硅片形成的芯片是非透明的。并且，虽 然为了提高抗冲击性而有减小芯片尺寸的倾向，然而没有对薄型化进 行研讨，从而如果用于识别有价证券和个人而安装该芯片，在很多情 况下很显眼。

对这种RFID在产品标记方面的用途也正在进行研讨，而且要求 可以实现一次性使用程度的低成本化。因此，现在在从一块具有圆形 状的硅片母体得到多块芯片的情况下制造芯片，然而对提高抽取的效 率以实现低成本化已经接近极限。

于是本发明的目的是提供存储元件和具有该元件的存储电路，其 中，所述存储元件通过减少制造步骤以实现低成本化。此外，本发明 的另一目的是提供具有该电路的存储元件和具有该存储元件的半导 体装置。

发明内容

鉴于上述目的，本发明提供具有有机化合物的存储元件，该有机 化合物夹在电极之间，其中将与控制该存储元件的半导体元件连接的 电极，也就是源极或漏极用作该存储元件的底部电极。为此，不需要 用于存储元件的电极，而可以减少步骤。

此外，存储元件所具有的绝缘物形成在开口中，其中所述开口用 于形成与半导体元件电连接的电极。为此，为了分别制作有机化合物 所需的绝缘膜，所谓的分隔层就不需要形成。

再者，本发明由于采用形成在绝缘表面上的极薄的半导体膜，从 而可以实现低成本化。绝缘表面指的是除了硅片以外的诸如玻璃衬底 或塑料等合成树脂衬底上的表面。

以下说明本发明的具体方式。

本发明的存储装置包括半导体膜、绝缘膜、导电膜、绝缘物以及 上部电极。所述半导体膜具有形成在绝缘表面上的杂质区；所述绝缘 膜与半导体膜接触，并且在杂质区上形成开口；所述导电膜在开口中 形成，并且用作与杂质区电连接的源极或漏极以及底部电极；所述绝 缘物在开口中的导电膜上形成；所述上部电极在绝缘物上形成。

根据本发明的另一方式的存储装置包括半导体膜、第一绝缘膜、 第一导电膜、第二绝缘膜、第二导电膜、绝缘物以及上部电极。所述 半导体膜具有形成在绝缘表面上的杂质区；所述第一绝缘膜与半导体 膜接触，并且在杂质区上形成第一开口；所述第一导电膜在第一开口 中形成，并且用作与杂质区电连接的源极或漏极；所述第二绝缘膜覆 盖导电膜的端部而形成，并且在杂质区上形成第二开口；所述第二导 电膜与第一导电膜连接，并且用作底部电极；所述绝缘物在第一和第 二开口中的第二导电膜上形成；所述上部电极在绝缘物上形成。

在本发明中，绝缘物由依光学作用或热作用改变其性质并且可以 使底部电极和上部电极彼此短路的材料形成。该绝缘物的膜厚度为 5nm至100nm，优选为10nm至60nm，以便依光学作用或热作用来 改变其性质。此外，在有机化合物材料用作绝缘物的情况下，其玻璃 转移温度为80℃至300℃，优选为100℃至250℃。

本发明的存储装置的制造方法包括以下步骤：在绝缘表面上的半 导体膜中形成杂质区；形成绝缘膜以与半导体膜接触；在绝缘膜中形 成开口，以便使杂质区露出；在开口中形成导电膜，该导电膜用作与 杂质区电连接的源极或漏极以及底部电极；在导电膜上形成绝缘物； 以及在绝缘物上形成上部电极。

根据本发明的另一方式的存储装置的制造方法包括以下步骤：在 绝缘表面上的半导体膜中形成杂质区；形成绝缘膜以与半导体膜接 触；在绝缘膜中形成开口，以便使杂质区露出；在开口中形成导电膜， 该导电膜用作与杂质区电连接的源极或漏极以及底部电极；在导电膜 上形成绝缘物；在绝缘物上形成上部电极；以及对导电膜和绝缘膜进 行表面改性。