[发明专利]显示装置有效
申请号: | 200910165701.X | 申请日: | 2009-08-06 |
公开(公告)号: | CN101644865A | 公开(公告)日: | 2010-02-10 |
发明(设计)人: | 野田刚史;宫泽敏夫;海东拓生;紫垣匠 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立显示器 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 郭 放 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,在基板中形成有薄膜晶体管,其特征在于,
上述薄膜晶体管被形成为相对于其半导体层隔着栅绝缘膜配置 有栅电极,并且
上述薄膜晶体管由以上述半导体层的被划分开的各区域作为各 自的半导体层的至少第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管构成,
在上述半导体层中,具备既作为上述第一薄膜晶体管的漏区和源 区中的一方也作为上述第二薄膜晶体管的漏区和源区中的另一方的 公共区,
在第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的各自的半导体层中,在沟 道区与上述漏区之间、以及沟道区与上述源区之间,分别具备掺杂浓 度比上述漏区和上述源区低的LDD区,
上述栅电极被形成为跨越上述半导体层的上述公共区,并至少与 上述第一薄膜晶体管的上述沟道区和上述各LDD区、以及上述第二 薄膜晶体管的上述沟道区和上述各LDD区对置,以将上述公共区的 宽度设为光致抗蚀剂的最小显影尺寸。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,上述半导体 层是由多晶硅形成的。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,上述薄膜晶 体管被形成为,相对于其半导体层,在上述基板侧隔着栅绝缘膜配置 有栅电极。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,在俯视时, 在上述半导体层的区域内,上述漏区、上述源区、上述公共区分别形 成为岛状,上述LDD区是包围上述漏区、上述源区、上述公共区的 周围而形成的。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,上述薄膜晶 体管形成在各像素内。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,上述薄膜晶 体管形成在扫描信号驱动电路内。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,上述薄膜晶 体管形成在RGB开关电路内。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,显示装置是 液晶显示装置。
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