[发明专利]显示装置

说明书

本申请要求提交于2008年8月6日的日本专利申请特愿 2008-202525号的优先权，其内容通过引用包含于此。

技术领域

本发明涉及显示装置，特别涉及在基板中形成有薄膜晶体管的显 示装置。

背景技术

例如，有源矩阵型的液晶显示装置在其基板的各像素的区域中形 成有由开关元件构成的薄膜晶体管。

在该情况下，优选的是，薄膜晶体管是相对于其半导体层在基板 侧隔着栅绝缘膜配置有栅电极的所谓底栅型的晶体管。其原因为，栅 电极起遮光膜的功能，可以防止来自背光源的光照射到半导体层，可 以构成光漏电流的发生少的薄膜晶体管。

还使用属于这种底栅型的薄膜晶体管的、以半导体层的被划分的 各区域作为相应的半导体层的多个薄膜晶体管构成的被称为所谓多 栅结构的晶体管。其原因为，这种多栅结构的薄膜晶体管例如通过缓 和漏区与沟道区间的电场集中来降低截止电流。

在这样的结构中，还通常在各薄膜晶体管的半导体层中，在沟道 区与漏区之间、以及沟道区与源区之间，分别具备杂质浓度比上述漏 区以及上述源区低的LDD(Lightly Doped Drain，轻掺杂漏)区。其 原因为，LDD区可以缓和易于在半导体层内的漏区与沟道区之间产生 的电场集中，容易在底栅型的薄膜晶体管中形成而不会增加制造工 序。

图8是示出在显示装置中形成的上述薄膜晶体管的结构的剖面 图。在图8中，薄膜晶体管TFT由将半导体层PS的被划分的各区域 设为相应的半导体层的第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管 TFT2构成。在该情况下，在上述半导体层PS的大致中央部，具备将 第一薄膜晶体管TFT1的源区SD与第二薄膜晶体管TFT2的漏区DD 共用的公共区CMD。另外，相对于上述半导体层PS，在基板SUB1 侧，隔着栅绝缘膜GI，分别物理上分离地形成有第一薄膜晶体管TFT1 的栅电极(在图中用GT1表示)、以及第二薄膜晶体管TFT2的栅电 极(在图中用GT2表示)(相互电连接)。在图8中，附图标记DD 表示漏区，附图标记SD表示源区，附图标记LD表示LDD区。另外， 对于图8所示的结构，此处，限于上述范围内的说明。其原因为，之 后，在对与图8对应地绘制的图1的结构的说明时，进行详述。

但是，在由上述结构构成的薄膜晶体管TFT中，即使希望使将 第一薄膜晶体管TFT1的源区SD与第二薄膜晶体管TFT2的漏区DD 共用的公共区CMD的宽度最小的情况下，其尺寸Lp至少需要约 5μm。

其理由在于，在制造时，除了光刻技术中的光致抗蚀剂的最小显 影尺寸(例如3μm)以外，还必需考虑栅电极GT1、GT2的加工尺 寸偏差(例如0.5μm)、显影尺寸偏差(例如0.5μm)、以及栅电极 GT1、GT2与半导体层PS的沟道区形成用的掩模的对准偏差(例如 1μm)。

因此，在由上述结构构成的薄膜晶体管TFT中，在减小其尺寸 时存在界限。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可以减小降低了截止电流的底栅型 的薄膜晶体管的尺寸的显示装置。

在本发明的显示装置中，使第一薄膜晶体管TFT1的栅电极与第 二薄膜晶体管TFT2的栅电极构成为相互连接为一体而不是分别物理 地分离，从而可以仅考虑光刻技术中的光致抗蚀剂的最小显影尺寸来 制造薄膜晶体管。

本发明的结构例如如下所述。

(1)本发明提供一种显示装置，在基板中形成有薄膜晶体管， 其特征在于，

上述薄膜晶体管被形成为相对于其半导体层隔着栅绝缘膜配置 有栅电极，并且

上述薄膜晶体管由以上述半导体层的被划分开的各区域作为各 自的半导体层的至少第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管构成，

在上述半导体层中，具备既作为上述第一薄膜晶体管的漏区和源 区中的一方也作为上述第二薄膜晶体管的漏区和源区中的另一方的 公共区，

在第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的各自的半导体层中，在沟 道区与上述漏区之间、以及沟道区与上述源区之间，分别具备掺杂浓 度比上述漏区和上述源区低的LDD区，

上述栅电极被形成为跨越上述半导体层的上述公共区，并至少与 上述第一薄膜晶体管的上述沟道区和上述各LDD区、以及上述第二 薄膜晶体管的上述沟道区和上述各LDD区对置。