[发明专利]有机发光显示器无效
申请号: | 200910165924.6 | 申请日: | 2009-08-18 |
公开(公告)号: | CN101656264A | 公开(公告)日: | 2010-02-24 |
发明(设计)人: | 金容铎;李钟赫;金元钟;李濬九;崔镇白 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐江华;王珍仙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示器 | ||
1、一种有机发光显示器,包括:
阳极;
在所述阳极上的包括发光层的有机层;以及
在所述有机层上的阴极,其中所述阴极包括邻接所述有机层的第一区域以 及邻接第一层的第二区域,第一区域和第二区域包括掺杂有金属氧化物的氧化 铟基体,其中:
第一区域的金属氧化物的掺杂密度大于第二区域的掺杂密度;
第一区域的金属氧化物的掺杂密度具有掺杂密度梯度;且
第一区域和第二区域之间界面上的金属氧化物的掺杂密度相同。
2、如权利要求1所述的有机发光显示器,其中所述金属氧化物的金属选自 由Cs、Ca、Sr、Ba、Y和镧系元素构成的组中。
3、如权利要求1所述的有机发光显示器,其中第一区域的金属氧化物掺杂 密度梯度相对于离所述有机层的距离具有线性关系。
4、如权利要求1所述的有机发光显示器,其中所述阴极的第一区域中的金 属氧化物的掺杂密度的最大值为2%~10%。
5、如权利要求1所述的有机发光显示器,其中第二区域的金属氧化物的掺 杂密度为0.0%~2.0%。
6、如权利要求1所述的有机发光显示器,其中所述阴极的金属氧化物的掺 杂密度为0.5%~12%。
7、如权利要求1所述的有机发光显示器,其中第一区域的厚度为5nm~ 50nm。
8、如权利要求1所述的有机发光显示器,其中第二区域的厚度为50nm~ 200nm。
9、如权利要求1所述的有机发光显示器,其中所述阴极的厚度为70nm~ 200nm。
10、如权利要求1所述的有机发光显示器,其中第一区域的功函在3.6eV~ 4.7eV之间。
11、如权利要求1所述的有机发光显示器,其中第二区域的电阻率为 2.5Ωm~4.5Ωm。
12、如权利要求1所述的有机发光显示器,其中所述阴极的透光率为80%~ 95%。
13、一种制造有机发光显示器的方法,包括:
形成阳极;
在所述阳极上形成包括发光层的有机层;以及
通过热沉积掺杂有金属或金属氧化物的氧化铟依次形成邻接所述有机层的 第一区域和邻接第一区域的第二区域在所述有机层上形成包括透明导电层的阴 极,其中第一区域根据梯度沉积法调节使金属或金属氧化物掺杂量减少或增加 来形成,且第二区域通过固定所述金属或金属氧化物的掺杂量来形成。
14、如权利要求13所述的方法,其中在形成所述阴极时,热沉积用金属源 和铟源在氧气氛中进行。
15、如权利要求13所述的方法,其中在形成所述阴极时,热沉积用金属源 和铟源在氧气氛和氩气氛中进行。
16、如权利要求13所述的方法,其中所述热沉积在等于或小于100℃的温 度下进行。
17、如权利要求13所述的方法,其中在形成所述阴极时,所述热沉积用离 子束辅助沉积法进行。
18、如权利要求17所述的方法,其中用于所述离子束辅助沉积法的离子束 源发出的离子为惰性原子的离子。
19、如权利要求18所述的方法,其中用于所述离子束辅助沉积法的离子束 源的能量为50ev~200eV。
20、如权利要求13所述的方法,其中所述金属选自由Cs、Ca、Sr、Ba、Y 和镧系元素构成的组中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的