[发明专利]有机发光显示器无效
申请号: | 200910165924.6 | 申请日: | 2009-08-18 |
公开(公告)号: | CN101656264A | 公开(公告)日: | 2010-02-24 |
发明(设计)人: | 金容铎;李钟赫;金元钟;李濬九;崔镇白 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐江华;王珍仙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示器 | ||
对相关申请的交叉引用
本申请要求2008年8月20日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请 10-2008-0081363的优先权及权益,其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
本发明涉及一种具有发光效率改善的的顶发光结构的有机发光显示器。
背景技术
有机发光显示器是自发光装置。有机发光显示器相比液晶显示器具有更 高的亮度,并比液晶显示器更薄,因为有机发光显示器不包括背光单元。
有机发光显示器具有以下结构,其中阳极、有机层和阴极先后堆叠在布 置有诸如薄膜晶体管等像素电路的基板上。有机发光显示器的结构可以是顶 发光结构或底发光结构。在顶发光结构中,图像朝向所沉积基板的反方向、 即朝向阴极显现,因而顶发光结构的孔径比大于图像朝向基板显现的底发光 结构的孔径比。因此,顶发光的有机发光装置的发光效率高于底发光的有机 发光装置。但是,在顶发光结构中,阴极必须是透明的,这很困难。通常, 阴极的基本要求是阴极必须具有比阳极低的功函,但具有低功函的材料通常 是透光率低的金属。
常规的透明阴极通过形成具有低功函的薄金属层来制造,但透光率仍然 很低,且难以改善透光率。
因为这种限制,已提议使用将发光层发出的光进行增强的微腔。但是, 微腔的最佳厚度相对于各颜色是不同的,从而布置在阳极和阴极之间的有机 层厚度相对于各颜色也不同。换句话说,在有机发光显示器中,随着电子从 阴极注入到阳极的空穴中,在有机发光层中形成激子,从而发光。为了调节 与激子的距离和共振厚度,有机层的厚度、特别是空穴或电子注入层的厚度、 或者空穴或电子传输层的厚度必须改变。因为有机层的厚度相对于各颜色必 须不同,所以相对于各颜色使用单独的掩模。但是,这种单独沉积的方法很 复杂,从而增加制造成本。
同时,为了提高显示器的分辨率,掩模必须具有更高分辨率的图案,这 很难得到大面积的显示器。
此外,有机层的厚度不能仅基于光学效率来确定,因为当空穴层或电子 层厚度不同时,有机发光显示器的电学特性会恶化。
发明内容
本发明的一个实施方式包括一种具有透明且功函低的阴极的顶发光型 有机发光显示器,使得在朝向阴极显现图像时提高发光效率而无需使用共振 结构。
在本发明的一个实施方式中,有机发光显示器包括:阳极;在阳极上包 括发光层的有机层;和形成在有机层上并使从有机层的发光层发出的光透过 的阴极。该阴极包括依次平行布置在有机层上的第一区域和第二区域。第一 区域和第二区域通过对氧化铟基体掺杂金属氧化物形成。第一区域的金属氧 化物的掺杂密度大于第二区域的金属氧化物的掺杂密度,第一区域的金属氧 化物具有密度梯度,且在第一区域和第二区域之间界面上的金属氧化物密度 相同。
在本发明的实施方式中,金属氧化物的金属可以是Cs、Ca、Sr、Ba、Y 或镧系元素。
在本发明的实施方式中,金属氧化物的掺杂密度可以是相对于第一区域 和有机层之间距离的线性函数。
在本发明的实施方式中,阴极的第一区域中金属氧化物的掺杂密度的最大 值可为约2%~约10%。
在本发明的实施方式中,第二区域的金属氧化物的掺杂密度可为约 0.0%~约2.0%。
在本发明的实施方式中,阴极的金属氧化物的平均掺杂密度可为约 0.5%~约12%。
在本发明的实施方式中,第一区域的厚度可为约5nm~约50nm。
在本发明的实施方式中,第二区域的厚度可为约50nm~约200nm。
在本发明的实施方式中,阴极的整体厚度可为约70nm~约200nm。
在本发明的实施方式中,第一区域的功函可在约3.6eV~约4.7eV之间。
在本发明的实施方式中,第二区域的电阻率可为约2.5Ωm~约4.5Ωm。
在本发明的实施方式中,阴极的透光率可为约80%~约95%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的