[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200910166007.X | 申请日： | 2009-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN101645461A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 田中浩治 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
元件隔离膜，其形成在一种导电类型的半导体层表面上；
栅电极，其布置在由所述元件隔离膜分开的元件形成区上，并且其具有一对位于所述元件隔离膜和所述元件形成区之间的边界上的端部；
形成在所述元件形成区中的具有反型导电类型的源极区和漏极区，并且所述源极区和漏极区被布置成将所述栅电极正下方的区域夹在中间；以及
杂质扩散区，其具有所述一种导电类型，并且形成在所述元件形成区中，其中，
所述源极区被布置成与所述元件形成区中的所述栅电极正下方的区域中的、所述元件隔离膜和所述元件形成区之间的边界侧上的区域相分离，
所述一种导电类型的所述杂质扩散区与所述源极区以及在所述栅电极正下方的区域的所述边界侧上的所述区域相接触，
所述一种导电类型的所述杂质扩散区中的与所述边界侧上的所述区域相邻的部分位于所述源极区和所述元件隔离膜之间，以及
所述一种导电类型的所述杂质扩散区不布置在所述漏极区和所述元件隔离膜之间。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述漏极区的外周部分与在所述元件隔离膜和所述元件形成区之间的边界的、比所述栅电极更靠近所述漏极区的部分的整个长度相接触，以及与在所述元件形成区中的所述栅电极正下方的区域的整个长度相接触。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述一种导电类型的所述杂质扩散区的电势等于所述半导体层的电势。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
在所述一种导电类型的所述杂质扩散区中的一种导电类型的杂质浓度不小于在所述源极区中的所述反型导电类型的杂质浓度。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述一种导电类型的所述杂质扩散区的电阻不大于所述源极区的电阻。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述源极区具有一对被布置成与所述栅电极正下方的所述区域中的边界侧上的所述区域相分离的端部，
所述源极区不形成在与所述边界侧上的所述区域相邻的所述一种导电类型的所述杂质扩散区中的区域中，所述源极区的所述端部中的每个与所述元件隔离膜相分离，以及
所述一种导电类型的所述杂质扩散区与在所述栅电极正下方的所述区域的所述边界侧上的所述区域相接触，并且被形成为与所述源极区的所述一对端部的整个表面相接触，其中所述整个表面与所述元件隔离膜相对。
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