[发明专利]包括可移除结合焊盘扩展的电路设备

权利要求书

1.一种电路配置，用于电隔离电路装置内的至少一个组件，该电路配置包括：

结合焊盘扩展测试焊盘；

可控开关，耦合到所述结合焊盘扩展测试焊盘并被配置成耦合到所述至少一个组件，其中所述可控开关包括用于使能和禁用所述可控开关的至少一个使能控制输入端，其中所述可控开关被配置成使得当所述可控开关被使能时所述结合焊盘扩展测试焊盘电连接到所述至少一个组件，而当所述可控开关被禁用时，所述结合焊盘扩展测试焊盘与所述至少一个组件电隔离；以及

控制电路，耦合到所述结合焊盘扩展测试焊盘并耦合到所述可控开关的所述使能控制输入端，

其中所述控制电路被配置为使得：

当测试电压被施加到所述结合焊盘扩展测试焊盘时，所述控制电路使能所述可控开关，而

当没有测试电压被施加到所述结合焊盘扩展测试焊盘时，所述控制电路禁用所述可控开关。

2.根据权利要求1所述的配置，其中所述控制电路包括耦合到所述结合焊盘扩展测试焊盘的写线，其中控制电路被配置为使得：当测试电压被施加到所述结合焊盘扩展测试焊盘时，所述控制电路的写线输入端使所述控制电路使能所述可控开关，而当没有测试电压被施加到所述结合焊盘扩展测试焊盘时，所述控制电路的写线输入端使所述控制电路禁用所述可控开关。

3.根据权利要求1所述的配置，

其中所述可控开关包括耦合到所述结合焊盘扩展测试焊盘的输入端，被配置成耦合到所述至少一个组件的输出端，第一使能控制输入端和第二使能控制输入端，

其中所述控制电路包括耦合到所述可控开关的所述第一使能控制输入端的第一控制线，耦合到所述可控开关的所述第二使能控制输入端的第二控制线，以及耦合到所述结合焊盘扩展测试焊盘的写线，

其中所述控制电路被配置为使得：当测试电压被施加到所述结合焊盘扩展测试焊盘时，所述控制电路通过所述第一控制线将控制输入信号施加到所述第一使能控制输入端并且通过所述第二控制线将控制输入信号施加到所述第二使能控制输入端，使得所述可控开关被使能，并且

其中所述控制电路被配置为使得：当没有测试电压被施加到所述结合焊盘扩展测试焊盘时，所述控制电路通过所述第一控制线将控制输入信号施加到所述第一使能控制输入端并且通过所述第二控制线将控制输入信号施加到所述第二使能控制输入端，使得所述可控开关被禁用。

4.根据权利要求1所述的配置，其中所述至少一个组件是结合焊盘。

5.根据权利要求1所述的配置，其中所述可控开关是传输门。

6.根据权利要求1所述的配置，其中所述控制电路包括静态随机存取存储(SRAM)单元。

7.根据权利要求1所述的配置，其中所述可控开关包括第一使能控制输入端和第二使能控制输入端，并且其中所述控制电路包括静态随机存取存储(SRAM)单元，其中所述SRAM单元包括：

第一晶体管，耦合到所述结合焊盘扩展测试焊盘，

第二晶体管，耦合到所述第一晶体管，

第三晶体管，交叉耦合到所述第二晶体管，

第四晶体管，耦合到所述第三晶体管并且耦合到所述结合焊盘扩展测试焊盘，

第一控制线，具有耦合在所述第一晶体管和所述第二晶体管之间的第一端，和耦合到所述可控开关的所述第一使能控制输入端的第二端，以及

第二控制线，具有耦合在所述第三晶体管和所述第四晶体管之间的第一端和耦合到所述可控开关的所述第二使能控制线的第二端，

其中，当测试电压被施加到所述结合焊盘扩展测试焊盘时，所述SRAM单元通过所述第一和第二使能控制线将控制输入信号施加到所述可控开关，使得所述可控开关被使能，以及

其中，当没有测试电压被施加到所述结合焊盘扩展测试焊盘时，所述SRAM单元通过所述第一和第二使能控制输入端将控制输入信号施加到所述可控开关，使得所述可控开关被禁用。

8.根据权利要求1所述的配置，其中所述至少一个组件进一步包括射频(RF)收发器输入结合焊盘，并且所述结合焊盘扩展测试焊盘耦合到RF测试源，其中当所述RF测试源将测试信号施加到所述结合焊盘扩展测试焊盘时，所述控制电路使能所述可控开关，以使RF测试信号能够被施加到RF收发器输入结合焊盘，并且其中当所述RF测试源没有将测试信号施加到所述结合焊盘扩展测试焊盘时，所述控制电路禁用所述可控开关，以使所述RF测试源与所述RF收发器输入结合焊盘电隔离。