[发明专利]偏置控制装置

权利要求书

1.一种偏置控制装置，其特征在于，具有：

温度检测器，对耗尽型场效应晶体管的周围温度进行检测；

第1电压生成部，根据该温度检测器的输出，生成正电压的温度补偿用电压信号；

第2电压生成部，生成正电压的偏置电压信号；以及

运算放大器，将上述温度补偿用电压信号和上述偏置电压信号相加并反向放大，而生成向上述场效应晶体管施加的负电压的偏置电压。

2.如权利要求1所述的偏置控制装置，其特征在于，

上述第2电压生成部具有：

固定电压产生部，产生规定的电压；以及

可变电阻，介于上述固定电压产生部与上述运算放大器之间，对输入的电压进行分压并将分压的电压输出。

3.如权利要求1所述的偏置控制装置，其特征在于，

上述场效应晶体管对射频信号进行功率放大。

4.如权利要求1所述的偏置控制装置，其特征在于，

上述运算放大器的放大率为-1。

5.如权利要求1所述的偏置控制装置，其特征在于，

上述第1电压生成部以及第2电压生成部以正电压工作。

6.如权利要求1所述的偏置控制装置，其特征在于，

上述场效应晶体管被收容于金属壳体，上述温度检测器设置在上述金属壳体内，且上述第1电压生成部设置在上述金属壳体的外部。

7.一种偏置控制装置，进行多个耗尽型场效应晶体管的偏置控制，其特征在于，偏置控制装置具有：

温度检测器，对上述多个场效应晶体管的周围温度进行检测；

第1电压生成部，根据上述温度检测器的输出，生成在上述多个场效应晶体管之间通用的正电压的温度补偿用电压信号；

第2电压生成部，对每个上述场效应晶体管生成正电压的单独偏置电压信号；以及

多个运算放大器，各运算放大器对每个上述场效应晶体管设置，将上述温度补偿用电压信号和上述单独偏置电压信号相加并反向放大，来生成向每个上述场效应晶体管施加的负电压的偏置电压。

8.如权利要求7所述的偏置控制装置，其特征在于，

上述第2电压生成部具有：可变电阻，对于各上述场效应晶体管，将输入的规定的电压分压并将电压作为上述单独偏置电压信号输出。

9.如权利要求8所述的偏置控制装置，其特征在于，

上述第2电压生成部具有：固定电压产生部，对于设置在各上述场效应晶体管的上述可变电阻，通用地供给上述规定的电压。