[发明专利]偏置控制装置

说明书

关联申请的交叉引用：本申请基于2008年9月17日提交的日本在先专利申请2008-238329，并要求享受其优先权，后一份申请以引用方式全部并入本申请。

技术领域

本发明涉及一种偏置控制装置，适用于例如在卫星基站所使用的使用了FET的功率放大装置。

背景技术

在卫星基站中，使用将调制信号放大到发送功率的功率放大装置。在该功率放大装置使用多个FET(Field Effect Transistor：场效应晶体管)的情况下，要求各FET的偏置电压的调整。并且，为了调整偏置电压，考虑各FET的温度特性而对每个FET进行偏置电压调整是必要、不可缺少的。

但是，上述FET中，作为半导体材料使用氮化镓(GaN)或砷化镓(GaAs)。该FET是在未施加栅极偏置时也流动漏极电流的耗尽型的FET，夹断电压为负电压。当栅极偏置成为零电位或者正电压时，在漏极流动过电流，FET的结温上升，导致FET的损坏。因此，栅极偏置电路需要对工作中的FET一直供给负电压。

日本专利公开2003-8385号公报公开了带有温度补偿功能的偏置电路。该偏置电路通过使用热敏电阻等温度检测器来使FET的偏置电压变化，由此进行温度补偿。

但是，即使使用该带有温度补偿功能的偏置电路，也足以预想到，偏置电路成为被称为失控状态的不能控制的状态，或者发生向来自温度检测器的信号的干扰(混调制)等异常。在这种情况下，有时设定栅极偏置为FET由于本身的漏极电流的发热而破损那样的电压。

发明内容

本发明的目的在于提供一种偏置控制装置，不错误地设定栅极偏置为FET破损那样的电压，就能够进行FET的偏置调整。

本发明的偏置控制装置具有：温度检测器，对耗尽型FET(场效应晶体管：Field Effect Transistor)的周围温度进行检测；第1电压生成部，根据该温度检测器的输出，生成正电压的温度补偿用电压信号；第2电压生成部，生成正电压的偏置电压信号；以及运算放大器，将温度补偿用电压信号和偏置电压信号相加并反向放大，而生成向FET施加的负电压的偏置电压。

并且，本发明的偏置控制装置为，进行多个耗尽型FET(场效应晶体管：Field Effect Transistor)的偏置控制的偏置控制装置，具有：温度检测器，对多个FET的周围温度进行检测；第1电压生成部，根据该温度检测器的输出，生成在多个FET之间通用的正电压的温度补偿用电压信号；第2电压生成部，对每个FET生成正电压的单独偏置电压信号；以及多个运算放大器，对每个FET设置，将温度补偿用电压信号和单独偏置电压信号相加并反向放大，而生成向FET施加的负电压的偏置电压。

附图说明

图1是对使用了实施例的偏置控制装置的功率放大装置的构成进行表示的方框图。

图2是表示图1所示的控制部的构成的电路方框图。

具体实施方式

以下，参照附图来详细说明本发明实施例的偏置控制装置。

图1是对使用了实施例的偏置控制装置的功率放大装置的构成进行表示的方框图。

在图1中表示具有偏置控制装置1的、使用了多个FET12、22的大功率固体功率放大器。FET12、22为使用了相同素材、例如氮化镓的耗尽型FET。为了得到各FET12、22之间的足够的绝缘，使用了FET12、22的各放大器模块单独地收纳在电磁遮蔽用的金属壳体14、24中。

应放大的RF(射频：Radio frequency)信号供给到输入端子11，RF信号的功率由FET12放大，所放大的信号功率从输出端子13输出。同样，RF信号供给到输入端子21，RF信号的功率由FET22放大，所放大的信号功率从输出端子23输出。

FET12、22的栅极偏置电压由偏置控制装置1生成，并施加到FET12、22的栅极G。

栅极偏置控制装置1具有温度检测器351、第1电压生成部2、第2电压生成部3以及运算放大器33、34。第1电压生成部2根据温度检测器351的输出生成正电压的温度补偿用电压信号。第2电压生成部3生成正电压的偏置电压信号。并且，运算放大器33、34将温度补偿用电压信号和偏置电压信号相加并反向放大。

温度检测器351对FET12、22的周围温度进行检测。一般FET12的周围温度与FET22的周围温度大致相同，因此温度检测器351接近某一个FET设置。在实施例中，温度检测器351在金属壳体14中接近FET12地设置。温度检测器351以外的偏置控制装置1偏置在金属壳体14的外部。