[发明专利]低电压工作恒压电路有效
申请号: | 200910166711.5 | 申请日: | 2009-08-14 |
公开(公告)号: | CN101685316A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
发明(设计)人: | 长谷川和男 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
主分类号: | G05F3/30 | 分类号: | G05F3/30 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 工作 压电 | ||
1.一种低电压工作恒压电路,其具备带隙基准电压电路作为基本构成 要素,该带隙基准电压电路包括多个电阻·二极管串联电路,该电阻·二 极管串联电路是串联连接电阻和被连接成二极管的双极性晶体管而构成 的,并在每个所述电阻·二极管串联电路中流过恒流,所述电阻·二极管 串联电路的一端接地,
在该低电压工作恒压电路中设置差动放大电路,该差动放大电路由多 个MOS晶体管构成,对构成该差动放大电路的MOS晶体管的电压进行比 较,以使构成每个所述电阻·二极管串联电路的所述双极性晶体管的集电 极电流相等,
在该低电压工作恒压电路中设置输出电路,该输出电路构成为:和所 述电阻·二极管串联电路并联连接且使流过该输出电路的电流与流过该电 阻·二极管串联电路的电流变为相等,并且该输出电路的一端接地,
该输出电路具备:被连接成二极管的MOS晶体管,被构成为抵消流 过该输出电路的电流的正温度系数;以及与该被连接成二极管的MOS晶 体管的漏极端子相连的输出端子,用于输出基准电压,作为外部设备的低 基准电压源。
2.一种低电压工作恒压电路,其具备带隙基准电压电路,该带隙基准 电压电路包括:串联连接了第一MOS晶体管与被连接成二极管的第一双 极性晶体管的第一串联电路;和串联连接了第二MOS晶体管、电阻及被 连接成二极管的第二双极性晶体管的第二串联电路,该带隙基准电压电路 对所述第一串联电路的第一双极性晶体管的集电极电压与所述第二串联 电路的所述电阻的一端的电压进行比较,并以使第一串联电路的电流与第 二串联电路的电流相等的方式进行控制,该带隙基准电压电路的一端接 地,
在该低电压工作恒压电路中设置差动放大电路,该差动放大电路由多 个MOS晶体管构成,对构成该差动放大电路的MOS晶体管的电压进行比 较,以使构成所述第一串联电路的所述第一双极性晶体管的集电极电流和 构成所述第二串联电路的所述第二双极性晶体管的集电极电流相等,
该低电压工作恒压电路还具备输出电路,其串联连接第三MOS晶体 管与被连接成二极管的第四MOS晶体管,该输出电路与所述第一串联电 路和所述第二串联电路并联连接,并被控制为:使流过该输出电路的电流 与流过所述第一串联电路的电流及流过所述第二串联电路的电流变为相 等,并且该输出电路的一端接地,
该输出电路被配置为从所述第三及第四MOS晶体管的连接点输出基 准电压,作为外部设备的低基准电压源。
3.根据权利要求2所述的低电压工作恒压电路,其特征在于,
构成所述第一串联电路的第一双极性晶体管的并联连接数目与构成 所述第二串联电路的第二双极性晶体管的并联连接数目不同。
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