[发明专利]低电压工作恒压电路

说明书

本申请主张2008年8月20日提出申请的日本发明专利申请第2008-212155号及2008年8月20日提出申请的日本发明专利申请第2008-212157号的优先权，并将这些在先申请的内容原封不动地作为参考导入本申请中。 

技术领域

本发明涉及低电压工作恒压电路。更详细地说，涉及一种例如利用1V左右的低电源电压工作，能够得到0.6V左右的低电压且不受温度拘束而恒定的输出电压、而且温度特性优异的低电压工作恒压电路。 

背景技术

以下的记载是针对相关技术及其问题点的发明者的知识，不应该解释为发明者自认为这些是现有技术。 

近年来，存在许多为了小型轻量化而采用低电压驱动方式的产品。在这种产品中，为了驱动产品内的电路需要利用低电压且恒定的基准电压。作为得到恒定的输出电压的电路，一直以来公知带隙基准电压电路，其构成为：建立具有正的温度系数的恒流源，用于抵消电阻中显示的电压的正温度系数和被二极管连接的双极性晶体管的基极发射极间电压的负温度系数。(例如，参照日本发明专利第2734964号公报、日本发明专利第2745610号公报)。 

在图12中表示使用以往已知的双极性晶体管的典型带隙基准电压电路。在该基准电压电路中具备：相互共同连接基极且具有单位发射极面积的第一晶体管Q1、具有发射极电阻R1且具有m(m为整数)倍的发射极面积的第二晶体管Q2、被二极管连接的第三晶体管Q3、由对晶体管Q1和Q2进行自偏置且被二极管连接的第四晶体管Q4和第五晶体管Q5构成的电流反射镜电路、以及基极上连接有晶体管Q5的集电极的第六晶 体管。晶体管Q6的集电极借助电阻R2驱动晶体管Q3并成为输出。 

由于第三晶体管Q3的基极发射极间电压V_BE3具有负温度特性，该第三晶体管Q3的集电极电流I具有正温度特性，故电阻R2两端的温度特性为正。因此，通过串联电阻R2与晶体管Q3，从而正温度系数与负温度系数被抵消，所以能够得到不拘泥于温度变化的恒定的输出电压。 

但是，在上述以往的基准电压电路中，因为如果基准电压与能量带隙电压(约1.2V)不相等则温度系数不能为零，所以输出电压只能取1.2V左右，另外电源电压必须比其高(例如，2V)。因此，不能利用低电源电压进行驱动。此外，由于输出电压高，因此具有不能使用例如需要0.6V左右的低基准电压的微型电子计算机的复位电路等用的基准电压源的难点。 

在其他的文献中所公开的此处记载的各种特征、实施方式、方法以及装置的优点及缺点绝没有意味着限定本发明。事实上，本发明的特定特征是：既能维持在此处公开的特征、实施方式、方法及装置的几个或者全部，又能克服其特定的缺点。 

发明内容

本发明的优选实施方式是鉴于相关技术中的上述和/或其他的问题点而进行的。本发明的优选实施方式能够显著提高已知的方法和/或装置。 

本发明鉴于上述以往技术的问题点，其目的在于：提供一种低电压工作恒压电路，例如即使是1V左右的低电源电压也能驱动，并能够得到0.6V左右的低电压且不拘泥于温度变化而恒定的输出电压的温度特性良好的低电压工作恒压电路。 

基于该发明的第一侧面，在以带隙基准电压电路作为基本构成要素而具备的低电压动作恒压电路中，通过设置流过与带隙基准电压电路相同的恒流的输出电路，并在该输出电路中设置被二极管连接的MOS晶体管，从而抵消流过该输出电路的电流的正温度系数。 

具体说来，在以包括构成为串联连接电阻与被二极管连接的双极性晶体管且流过恒流的电阻·二极管串联电路的带隙基准电压电路作为基本构成要素而具备的低电压工作恒压电路中，设置输出电路，其与所述电阻· 二极管串联电路并联连接，且构成为流过与该电阻·二极管串联电路的电流相同的恒流， 

该输出电路具备被二极管连接的MOS晶体管，构成为通过该MOS晶体管来抵消流过该输出电路的电流的正温度系数。 

基于更具体的实施方式，在具备带隙基准电压电路的低电压动作恒压电路中，该带隙基准电压电路包括：串联连接了MOS晶体管、被二极管连接的双极性晶体管的第一串联电路；和串联连接了MOS晶体管、电阻及被二极管连接的双极性晶体管的第二串联电路，对所述第一串联电路的双极性晶体管的集电极电压与所述第二串联电路的所述电阻的一端的电压进行比较，且以使第一串联电路的电流与第二串联电路的电流相等的方式进行控制，