[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，具备：

半导体衬底；

半导体层，形成于该半导体衬底；

电子元件，形成于该半导体层；及

保护环，以包围所述电子元件的形态形成于所述半导体层；

而所述保护环包含以包围所述电子元件的形态形成于所述半导体层 的多个环状沟、及充填于各沟内的绝缘材料，而各沟的深度彼此不同；

在彼此邻接的两个所述沟中，接近所述电子元件侧的所述沟形成为比 该沟靠外侧的另一所述沟更深且更宽。

2.一种半导体器件，其特征在于，具备：

半导体衬底；

半导体层，形成于该半导体衬底；

电子元件，形成于该半导体层；及

保护环，以包围所述电子元件的形态形成于所述半导体层；

而所述保护环包含以包围所述电子元件的形态形成于所述半导体层 的多个环状沟、及充填于各沟内的绝缘材料，而各沟的深度彼此不同；

在彼此邻接的两个所述沟中，接近所述电子元件侧的所述沟形成为比 该沟靠外侧的另一所述沟更浅且更窄。

3.根据权利要求1至2中任一权利要求所述的半导体器件，其特征 在于，所述绝缘材料至少覆盖各沟内中的所述半导体层，并埋入各沟内的 一部份或整体，且朝各沟的外侧延伸。

4.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

在半导体衬底形成半导体层的步骤；

在所述半导体层形成电子元件的步骤；

在所述半导体层形成具有彼此不同的深度且包围所述电子元件的多 个环状沟的步骤；

在各沟内充填绝缘材料，而形成包围所述电子元件的保护环的步骤； 及

沿着所述保护环外侧的区域所划定的切割线而切割所述半导体衬底 及所述半导体层的步骤；

在彼此邻接的两个所述沟中，接近所述电子元件侧的所述沟形成为比 该沟靠外侧的另一所述沟更深且更宽。

5.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

在半导体衬底形成半导体层的步骤；

在所述半导体层形成电子元件的步骤；

在所述半导体层形成具有彼此不同的深度且包围所述电子元件的多 个环状沟的步骤；

在各沟内充填绝缘材料，而形成包围所述电子元件的保护环的步骤； 及

沿着所述保护环外侧的区域所划定的切割线而切割所述半导体衬底 及所述半导体层的步骤；

在彼此邻接的两个所述沟中，接近所述电子元件侧的所述沟形成为比 该沟靠外侧的另一所述沟更浅且更窄。

6.根据权利要求4至5中任一权利要求所述的半导体器件的制造方 法，其特征在于，所述绝缘材料以至少覆盖各沟内中的所述半导体层，并 埋入各沟内的一部份或整体，且朝各沟的外侧延伸的方式形成。

7.根据权利要求4至5中任一权利要求所述的半导体器件的制造方 法，其特征在于，在所述半导体层形成多个所述沟的步骤，包含波希制程。

8.一种半导体器件，其特征在于，具备：

多个电子元件，形成于半导体层；及

元件分离层，沿着各电子元件的边界延伸而形成于所述半导体层；

所述元件分离层包括：多个沟，沿着各电子元件的边界延伸而形成于 所述半导体层；及绝缘材料，形成于各沟内，在彼此邻接的两个所述沟中， 接近所述电子元件侧的所述沟形成为比该沟靠外侧的另一所述沟更深且 更宽。

9.一种半导体器件，其特征在于，具备：

多个电子元件，形成于半导体层；及

元件分离层，沿着各电子元件的边界延伸而形成于所述半导体层；

所述元件分离层包括：多个沟，沿着各电子元件的边界延伸而形成于 所述半导体层；及绝缘材料，形成于各沟内，在彼此邻接的两个所述沟中， 接近所述电子元件侧的所述沟形成为比该沟靠外侧的另一所述沟更浅且 更窄。