[发明专利]发光装置以及发光装置的制造方法无效
申请号: | 200910168654.4 | 申请日: | 2009-09-02 |
公开(公告)号: | CN101667627A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
发明(设计)人: | 下田悟;白崎友之;木津贵志 | 申请(专利权)人: | 卡西欧计算机株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32;G09F9/30 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 许玉顺;胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 以及 制造 方法 | ||
1.一种发光装置,其特征在于,具有:
第一电极;
在上述第一电极上的至少一层以上的载流子传输层;
在上述载流子传输层上的第二电极;
隔壁,具有与形成在基板的上面侧的上述第一电极连通的开口部;以及
发光保护层,存在于上述隔壁和上述载流子传输层之间。
2.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
上述发光保护层对由上述隔壁所引起的发光阻碍要因进行中和或者使该发光阻碍要因变为酸性。
3.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
上述发光保护层由酸性材料形成。
4.如权利要求1~3中任一项所述的发光装置,其特征在于,
上述隔壁是使阳性的感光性聚酰亚胺类树脂材料固化而成。
5.如权利要求1~3中任一项所述的发光装置,其特征在于,
通过碱性溶液来对上述隔壁进行显影。
6.一种发光装置的制造方法,所述发光装置具有第一电极、在上述第一电极上的至少一层以上的载流子传输层以及在上述载流子传输层上的第二电极,该发光装置的制造方法包括以下工序:
隔壁形成工序,形成隔壁,该隔壁具有与形成在基板的上面侧的上述第一电极连通的开口部;
发光保护层形成工序,形成发光保护层,该发光保护层至少覆盖上述隔壁,并封住由上述隔壁引起的发光阻碍要因;以及
载流子传输层形成工序,形成上述载流子传输层,上述载流子传输层覆盖上述第一电极以及上述发光保护层。
7.如权利要求6所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
上述发光保护层形成工序包括在对成为上述发光保护层的材料进行成膜时,对由该隔壁引起的发光阻碍要因进行中和或者使该发光阻碍要因变为酸性的工序。
8.如权利要求6或7所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
上述隔壁形成工序包括用碱性溶液对成为上述隔壁的材料进行显影的工序,
上述发光保护层形成工序包括对在上述隔壁以及上述第一电极的表面残留的上述碱性溶液进行中和或者使该残留的上述碱性溶液变为酸性的工序。
9.一种发光装置的制造方法,所述发光装置具有第一电极、在上述第一电极上的至少一层以上的载流子传输层以及在上述载流子传输层上的第二电极,该发光装置的制造方法包括以下工序:
隔壁形成工序,形成隔壁,该隔壁具有与基板上的上述第一电极连通的开口部;
表面清洗工序,对上述隔壁以及上述第一电极的表面进行清洗,从而除去在上述隔壁形成工序中产生的发光阻碍要因;以及
载流子传输层形成工序,形成上述载流子传输层,上述载流子传输层覆盖上述第一电极以及上述隔壁。
10.如权利要求9所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
上述隔壁形成工序包括在用规定的掩模图案对成为上述隔壁的材料进行曝光后,用碱性溶液对成为上述隔壁的材料进行显影的工序,
上述表面清洗工序包括用酸性溶液对在上述隔壁以及上述第一电极的表面残留的上述碱性溶液进行中和或者使该残留的上述碱性溶液变为酸性的工序。
11.如权利要求10所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
还包括在用上述酸性溶液对残留的上述碱性溶液进行中和或者使该残留的上述碱性溶液变为酸性的工序后,用水或与上述酸性溶液相比呈弱酸性的水溶液清洗上述隔壁以及上述第一电极的工序。
12.如权利要求9所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
还包括在上述载流子传输层形成工序后,在上述开口部内的上述载流子传输层上形成上述第二电极的第二电极形成工序。
13.一种发光装置,其特征在于,
通过权利要求9~12中任一项所述的发光装置的制造方法而被制造。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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