[发明专利]发光装置以及发光装置的制造方法无效
申请号: | 200910168654.4 | 申请日: | 2009-09-02 |
公开(公告)号: | CN101667627A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
发明(设计)人: | 下田悟;白崎友之;木津贵志 | 申请(专利权)人: | 卡西欧计算机株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32;G09F9/30 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 许玉顺;胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 以及 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及发光装置以及发光装置的制造方法。
背景技术
近年来,已公知作为便携式电话机等的电子设备的显示部件,使用了将作为自发光元件的多个EL(Electro Luminescence)发光元件排列为矩阵状的EL发光面板的技术。
EL发光元件是例如在聚酰亚胺所构成的绝缘层上的开口部露出的第一电极上进行发光层成膜,在该发光层上层积第二电极而成的(例如,参照专利文献1),其面板中各开口部分别成为相当于像素的发光部分,由多个EL发光元件构成发光区域。
专利文献1:日本特开2002-91343号公报
然而,在上述以往技术的EL发光面板中,会出现在构成该EL发光面板的发光区域的多个EL发光元件中存在有部分EL发光元件不发光的区域的情况。
发明内容
因此,本发明的目的在于提供一种发光特性优良的发光装置以及发光装置的制造方法。
为了得到上述优点,本发明的一个方式是一种发光装置,具有第一电极、在上述第一电极上的至少一层以上的载流子传输层以及在上述载流子传输层上的第二电极,其特征在于,该发光装置还具有:隔壁,具有与形成在基板的上面侧的上述第一电极连通的开口部;以及至少覆盖上述隔壁的发光保护层,上述发光保护层存在于上述隔壁和上述载流子传输层之间。
优选中和由上述隔壁所引起的发光阻碍要因或者使该发光阻碍要因变为酸性,从而改善由该发光阻碍要因所引起的载流子传输层的传输性劣化。
此外,优选上述发光保护层由酸性材料形成。
此外,优选上述隔壁是使阳性的感光性聚酰亚胺类树脂材料固化而成。
此外,优选通过碱性溶液来对上述隔壁进行显影。
本发明的其他的方式是一种发光装置的制造方法,所述发光装置具有第一电极、在上述第一电极上的至少一层以上的载流子传输层以及在上述载流子传输层上的第二电极,该发光装置的制造方法包括以下工序:隔壁形成工序,形成隔壁,该隔壁具有与形成在基板的上面侧的上述第一电极连通的开口部;发光保护层形成工序,形成发光保护层,该发光保护层至少覆盖上述隔壁,并封住由上述隔壁引起的发光阻碍要因;以及载流子传输层形成工序,形成上述载流子传输层,上述载流子传输层覆盖上述第一电极以及上述发光保护层。
优选上述发光保护层形成工序包括在对成为上述发光保护层的材料进行成膜时,中和由该隔壁引起的发光阻碍要因或者使该发光阻碍要因变为酸性的工序。
此外,优选上述隔壁形成工序包括用碱性溶液对成为上述隔壁的材料进行显影的工序,上述发光保护层形成工序包括中和在上述隔壁以及上述第一电极的表面残留的上述碱性溶液或者使该残留的上述碱性溶液变为酸性的工序。
本发明的其他的方式是一种发光装置的制造方法,所述发光装置具有第一电极、在上述第一电极上的至少一层以上的载流子传输层以及在上述载流子传输层上的第二电极,该发光装置的制造方法包括以下工序:隔壁形成工序,形成隔壁,该隔壁具有与基板上的上述第一电极连通的开口部;表面清洗工序,对上述隔壁以及上述第一电极的表面进行清洗,从而除去在上述隔壁形成工序中产生的发光阻碍要因;以及载流子传输层形成工序,形成上述载流子传输层,上述载流子传输层覆盖上述第一电极以及上述隔壁。
优选上述隔壁形成工序包括在用规定的掩模图案对成为上述隔壁的材料进行曝光后,用碱性溶液对成为上述隔壁的材料进行显影的工序,
上述表面清洗工序包括用酸性溶液中和在上述隔壁以及上述第一电极的表面残留的上述碱性溶液或者使该残留的上述碱性溶液变为酸性的工序。
优选还包括在用上述酸性溶液中和残留的上述碱性溶液或者使该残留的上述碱性溶液变为酸性的工序后,用水或与上述酸性溶液相比呈弱酸性的水溶液清洗上述隔壁以及上述第一电极的工序。
优选还包括在上述载流子传输层形成工序后,在上述开口部内的上述载流子传输层上形成上述第二电极的第二电极形成工序。
而且,还提供一种发光装置,其特征在于,通过上述的发光装置的制造方法而被制造。
附图说明
图1是表示EL面板的像素的配置构成的平面图。
图2是表示EL面板的概略构成的平面图。
图3是表示与EL面板的一个像素相当的电路的电路图。
图4是表示EL面板的一个像素的平面图。
图5是表示沿图4的V-V线的面的向视断面图。
图6是表示沿图4的VI-VI线的面的向视断面图。
图7是表示在基板的上面侧形成的薄膜晶体管和层间绝缘膜的断面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择