[发明专利]半导体元件的制法

权利要求书

1.一种半导体元件的制法，包括以下步骤：

形成一材料层于一基材之上；

形成一牺牲层于该材料层之上，其中该材料层与该牺牲层各自具有小于 100埃的厚度；

形成一图案化光致抗蚀剂层于该牺牲层之上；

利用该图案化光致抗蚀剂层作为一掩模，施加一第一湿式蚀刻工艺以蚀 刻该牺牲层，借以形成一图案化牺牲层；

施加一第二湿式蚀刻工艺以蚀刻该材料层；以及

施加一第三湿式蚀刻工艺以移除该图案化牺牲层，

其中，该第一湿式蚀刻工艺与该第二湿式蚀刻工艺各自包括含有一光致 抗蚀剂显影剂的蚀刻剂。

2.如权利要求1所述的半导体元件的制法，于施加该第一湿式蚀刻工艺 之后与施加该该第二湿式蚀刻工艺、第三湿式蚀刻工艺之前，尚包括施加一 湿式化学蚀刻以移除该图案化光致抗蚀剂层。

3.如权利要求1所述的半导体元件的制法，其中该材料层包括氮化钛。

4.如权利要求1所述的半导体元件的制法，其中该牺牲层包括氧化镧。

5.如权利要求4所述的半导体元件的制法，其中该第一与第三湿式蚀刻 工艺各自包括含有盐酸的蚀刻剂。

6.如权利要求4所述的半导体元件的制法，其中该第一与第三湿式蚀刻 工艺各自包括施加二氧化碳水。

7.如权利要求1所述的半导体元件的制法，其中该牺牲层包括氧化铝。

8.如权利要求7所述的半导体元件的制法，其中该第一与第三湿式蚀刻 工艺各自包括施加氢氧化四甲基铵溶液。

9.如权利要求1所述的半导体元件的制法，其中该第一湿式蚀刻工艺包 括施加一弱酸溶液，其中该弱酸溶液包括二氧化碳水、醋酸溶液、柠檬酸溶 液、硼酸或磷酸，其中，所述牺牲层包括氧化镧。

10.如权利要求1所述的半导体元件的制法，其中该第二湿式蚀刻工艺 包括施加氢氧化铵-过氧化氢-水的混合物，其中，所述材料层包括氮化钛。

11.如权利要求1所述的半导体元件的制法，于形成该图案化光致抗蚀 剂层之前，尚包括对该牺牲层施加六甲基二硅氮烷。

12.如权利要求1所述的半导体元件的制法，于施加该第一湿式蚀刻工 艺之前，尚包括对该图案化光致抗蚀剂层施加一清洁材料。

13.一种半导体元件的制法，包括以下步骤：

形成一钽化钛层于一基材上；

形成一氧化镧层于该钽化钛层上；

形成一图案化光致抗蚀剂层于该氧化镧层上；

利用该图案化光致抗蚀剂层作为一掩模，对该基材施加一第一湿式蚀刻 工艺以蚀刻该氧化镧层，借以形成一图案化氧化镧层；

对该基材施加一氢氧化铵-过氧化氢-水的混合物以蚀刻该钽化钛层；以 及

施加一第二湿式蚀刻工艺于该基材以移除该氧化镧层，

其中，该第一湿式蚀刻工艺与该第二湿式蚀刻工艺各自包括含有一光致 抗蚀剂显影剂的蚀刻剂。

14.如权利要求13所述的半导体元件的制法，其中该第一与第二湿式蚀 刻工艺各自包括含有盐酸及水的蚀刻剂。